2013年LED技术进步大猜想：“GaN-on-Si”瓜分市场，nPSS成新热门

2012年关于LED照明的各种挑战性的新技术不时浮现，2013年，哪些技术能真正进入舞台中央，决定着整个行业技术进步的节奏呢？

从衬底材料来说，硅衬底恐怕要从前几年理论上的威胁变成现实的挑战，东芝于2012年12月14日宣布，开发出了用于LED照明的白色GaN-on-Si（硅基氮化镓）LED芯片“TL1F1系列（1W）”，并将从12月下旬开始以1000万个/月的规模量产。起始量就是10KKPCS大功率，不出意外，2013年GaN-on-Si的LED的市场份额可能进入个位数百分比，几年之内更是可能到2位数百分比，与蓝宝石，SiC三分天下。

而图形化衬底技术在2012年成为各外延企业争相采用的技术，到2012年下半年，采用率超过了70%。但2013年nPSS可能会成为新的主流，nPSS采用纳米压印式接触方式，对纳米模板与衬底平行度有极其苛刻的要求，脱模、排气以及母版污染均会使得批量化非常困难，nPSS的品质稳定性受到纳米压印印模品质的影响很大，全球能实现量产的设备厂商非常少。2013年一旦这个瓶颈突破，nPSS的亮度更好，成本低，均匀度高的优势必然会受到外延厂商的青睐。

远程荧光粉2012年崭露头角，从某荧光粉大厂推出至今，已经有不少应用厂商开始采用这样的方案，其优势非常明显，LEDinside也看好这项技术可能的发展空间。如果这项技术能够更广泛采用，白光封装会不会因此变成多余环节，产业链又要重新划分？

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