山西“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目获关键技术突破

11月17日，山西省科技厅半导体与新材料科技处赴山西省长治市中科潞安紫外光电科技有限公司，对山西省重大专项“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目进行了现场跟踪服务。专家组对已完成工作详细审核和质询后认为，该项目完成了预期指标，取得了阶段性进展和关键技术突破。

据介绍，项目团队按照计划开展各项研发工作，系统研究了氮化铝模板材料的制备工艺，提出了高效P型掺杂新方法，突破了极化诱导掺杂、溅射退火氮化铝模板和基于芯片微纳结构的高效光提取等关键技术，深紫外LED芯片的出光效率大幅提升。

经第三方检测，制备的深紫外LED灯珠发光波长小于275nm，内量子效率达到48.13%，光功率达到46.39mW，实现了深紫外LED芯片、灯珠及应用产品批量化生产和销售。

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目前，项目组开发的高效芯片已广泛应用于长治市高铁站、机场等示范工程，取得了良好的经济和社会效益，并制定了《消毒用UVC LED术语与定义》等五项标准。

此外，相关成果还通过了中国电子学会组织的科技成果评价，评价委员会认定该成果研制难度大，创新性强，应用效果显著，建议在公共安全和疫情防控等领域广泛应用。

山西省科技厅表示，深紫外LED项目组将以省科技重大专项的前期研究突破为基础，进一步研发高光效深紫外LED器件，继续突破关键共性技术，持续提升核心产品竞争力，推动紫外LED应用产品走向千家万户。（来源：山西省科技厅）

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