华灿光电：MiniLED蓄势待发，背光芯片进入发展快车道

进入2021年，MiniLED新型显示的技术的呼声越来越高，各大终端厂商纷纷重兵部署该前沿领域，MiniLED显示技术商用化进程不断加速，大幅拉动MiniLED芯片的需求量。

3月31日，华灿光电副总裁/首席技术官王江波在2021集邦咨询新型显示产业硏讨会上介绍MiniLED芯片的应用趋势及华灿MiniLED背光芯片的产品。

华灿光电副总裁/首席技术官王江波

MiniLED背光市场发展潜力不容小觑

Micro LED在实现产业化的过程中，面临巨量转移等技术瓶颈的掣肘。在此过程中，MiniLED成为各LED企业的发展突破口。MiniLED可分为RGB显示和背光两个应用方向。

MiniLED RGB显示技术作为小间距显示屏的自然延伸，无论是下游应用还是工艺技术均可无缝衔接，有望为LED显示屏注入新的源头活水。在直显市场上，P1.1以下的显示屏应用中，Mini RGB芯片将逐渐占据主流。

而在背光技术上，MiniLED背光具有明显的优势，不仅可以实现超高对比度、宽色域，使得色彩的鲜艳度媲美OLED，还可以减少光学混光距离，降低屏幕厚度实现超薄化。

此外，MiniLED背光显示与传统分立LED器件方案相比，具有散热均匀的优点，可以实现高亮度，使得HDR成为可能。

“MiniLED背光是加速MiniLED产业化的重要推手。MiniLED背光市场的潜力发展不容小觑。”王江波说道。

随着良率的提高，MiniLED背光显示的成本将以每年15-20%的幅度下降，将大比例替代现有的传统LED背光，成为大尺寸液晶背光显示方案的主流选择。

除此以外，IT产品将带动MiniLED在背光上的高需求用量，近三年MiniLED将有望逐渐导入车用显示领域。

华灿光电MiniLED背光芯片优势凸显

在芯片技术上，MiniLED倒装RGB芯片在显示应用上，具有更低的芯片热阻、更好的视觉一致性、无需金线及更好的可靠性等优势。

华灿光电MiniLED背光芯片采用高可靠性、高亮度的DBR+ITO倒装芯片结构，有效解决有Ag银迁移问题，并通过优化的DBR膜层设计和沉积工艺，提高反射率。

可靠性方面，华灿光电MiniLED背光芯片通过高效钝化层的制作，优化的膜系组合，保护侧边钝化层，使得焊接过程更稳定。同时，优化PV和Mesa刻蚀工艺，使金属连接层平滑覆盖，提高可靠性；此外，还通过优化电极结构和金属沉积工艺，阻隔锡膏材料的扩散。

王江波介绍，华灿光电MiniLED背光芯片解决方案混光效果更优秀，适合全面屏，可分区驱动，具有更高对比度，更高色彩饱和度，更省电的特点。针对消费电子产品，可减少光学膜片，使产品更为轻薄。

在解决MiniLED背光芯片产品共性技术的基础上，华灿光电是业内首家导入量产免锡膏封装芯片方案的企业，并且在业内首创高压Mini背光芯片。

Mini/Micro LED产业蓄势待发

王江波表示：“LED微显示技术有很多种，从小间距到MiniLED直显、MiniLED背光再到Micro LED，每个技术都有自身的特点。”

目前，MiniLED背光芯片技术趋于成熟，在大尺寸TV面板，显示器、笔记本及车载等中尺寸应用上展现出优势，未来其发展规模将逐步扩大。

此外，华灿Mini RGB芯片已经实现大规模量产，并在国内外主流客户的重点项目中广泛的应用，显示效果优秀。

在Micro LED方面，王江波表示，目前Micro LED仍处于研发阶段，需要上中下游联合开发，未来将在“一大（大尺寸的高端显示领域）一小（小尺寸的穿戴领）两大市场率先导入应用。（文：LEDinside Mia）

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