募资15亿！华灿投资Mini/Micro LED、GaN功率器件等

昨（2）日晚间，华灿光电接连发布公告，除了公布 2019年度报告、第一季度业绩预告以及8亿元增资子公司以外，还宣布拟非公开发行股票募集资金不超过15亿元，投向Mini/Micro LED、GaN功率器件等项目。

公告显示，华灿光电拟非公开发行股票数量不超过327,648,428股（含327,648,428股），募集资金总额（含发行费用）不超过15亿元，投向Mini/Micro LED的研发与制造项目和GaN基电力电子器件的研发与制造项目，分别投入12亿元和3亿元。

其中，Mini/Micro LED的研发与制造项目是华灿光电为继续扩大在LED芯片领域的竞争优势、巩固LED显示屏芯片市场的领先地位而计划实施的投产项目。此项目以公司现有技术为基础，实现Mini/Micro LED的开发与产业化制造，进而带动产业链上下游各企业协同发展，深入布局下一代显示技术。

项目建设内容为Mini/Micro LED的研发与制造。Mini/Micro LED研发的内容主要包括数学建模仿真、器件结构设计、外延工艺开发、芯片工艺开发等；量产的内容主要包括Mini/Micro LED厂房及生产线建设，进行LED外延片和芯片的生产销售。项目主要产品包括Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。

华灿光电表示，此项目总投资额为139,267.22万元，其中拟投入募投资金120,000.00万元。项目预计将帮助公司实现年均利润总额25,282万元，项目整体内部收益率（税后）为17.64%。

图片来源：拍信网

GaN基电力电子器件的研发与制造项目产品为中低压系列硅基增强型p型栅GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），包括100V、200V、600/650V三个电压等级的多种型号，主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的技术特性。

项目通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，建立GaN功率器件设计和工艺IP库。项目建成后，将建立GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，将产品开发、制造与市场需求紧密结合，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有相当市场竞争力的性价比，快速推进GaN功率器件的大规模产业化。

项目开发按照从低压到高压、从低能量密度到高能量密度的次序分阶段有计划进行，开发的GaN功率器件包括100V、200V、600/650V三个电压等级。本项目量产按照调试贯通、风险试产、规模量产的次序分阶段有计划进行。量产以Si晶圆为衬底材料，采用0.25um工艺制程，制造中低压GaN功率器件，主要有WLCSP和QFN两种封装形式。项目建成后，实现年产1.33万片6英寸晶圆（折合4英寸3万片）的生产规模。

项目建设期三年，计划总投资额31,641.58万元，其中拟投入募投资金30,000.00万元。本项目预计将帮助公司实现年均利润总额4,247万元。

华灿光电表示，项目的建设能进一步完善公司化合物半导体战略布局，符合公司专注于高端半导体器件、做大做强产业链的长期战略布局。

本次发行完成后，华灿光电资产总额、净资产规模均将有所增加，公司资产负债率将相应下降，进一步优化资产负债结构，提高公司抗风险的能力，为公司未来的发展奠定基础。（LEDinside Janice整理）

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