国星光电宣布两项省重点领域研发计划项目获批立项

今日，国星光电发布公告宣布其牵头承担的“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究”项目获批立项，将分别获批省财政专项经费750万元和225万元。

公告显示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用属于第三代半导体材料与器件专项类别。国星光电表示，目前绝大多数近紫外LED都是蓝宝石衬底，易产生张应力甚至裂纹，而硅衬底具有尺寸大、成本低、热导率高等优点，有利于LED器件小型化和高电流密度化。项目通过产学研结合发挥产业链整合优势，从硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片、封装及应用四个层面切入，研制具有自主创新的紫外大功率LED器件并形成产业化示范，有助于提升国内近紫外LED行业的国际竞争力，带动广东乃至全国的LED产业升级。

另外，彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究属于新型显示专项类别，牵头单位是南方科技大学。国星光电表示，Micro-LED因其体积小、灵活性高、易于拆解合并等优点，被认为是最有前途的下一代新型显示与发光器件，项目通过Micro-LED器件的开发、彩色化及转移与封装技术等研究，开发出超高亮度彩色微小尺寸Micro-LED器件和高质量显示屏。本项目把广东先进制造能力、市场优势和港澳国际化、科技创新优势相结合，打通粤港两地微显示器件产品科技成果转化和产业化链条，助力粤港澳大湾区科技创新体系建设。

国星光电称，目前公司尚未收到项目专项资金。上述项目立项不会对公司近期生产经营产生重大影响，但有利于发挥公司知识产权优势，形成持续创新机制，保持技术领先地位，提升公司的核心竞争力。

此外，国星光电还宣布取得由国家知识产权局及美国专利商标局颁发的两项专利证书，分别关于LED器件、LED灯及加工LED器件的导电线的方法和一种LED支架及其制成的LED器件与LED显示模组，专利权期限皆为20年。

国星光电表示，发明专利的取得不会对公司近期生产经营产生重大影响，但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势，形成持续创新机制，保持技术领先地位，进一步提升公司核心竞争力。

如需转载，需本网站E-Mail授权。并注明"来源于LEDinside"，未经授权转载、断章转载等行为，本网站将追究法律责任！E-Mail:service@ledinside.com

如需获取更多资讯，请关注LEDinside官网（www.ledinside.cn）或搜索微信公众账号（LEDinside）。