2017年UV LED国内外事件大盘点——LEDinside

近年来，UV LED的产品功率得到极大的提升，技术也进一步发展。凭借使用寿命较长、体积小、光输出均匀且省电等优势，再加上国际禁用水银（汞）的《水俣公约》在2013年签署通过后，离全面禁用水银的2020年时间只剩下三年，包括日本、中国 、欧盟等多个市场正需要UV LED来替换紫外线水银灯管，这也加速刺激了UV LED市场在全球各地的起飞。

根据TrendForce LED研究中心（LEDinside）最新发布的《2017 紫外线 LED 与模块应用市场报告》显示，紫外线 LED产品持续积极开展于各应用之中，加上水俣公约、节电优惠等政策推广，LEDinside预估UV LED市场产值于2017年将成长至2.88亿美金；2020年将会到达5.26亿美金，2015-2020 年复合成长率达34%。

可以预见到，UV LED极具发展的潜力，市场商机无限。因此，UV LED将成国内外企业加速布局的一个项目，UV LED市场将迎来爆发。回顾2017年，国内外企业对UV LED做了哪些布局？技术有何进展？为此，LEDinside对2017年UV LED的相关事件做了简单的整理，以飨读者。

【企业动态】

♦ 砸4.86亿元！台塑化携手日机装发展UV-LED

2017年1月25日，台塑化宣布与日商日机装（Nikkiso）携手发展UV-LED事业，生产深紫外光LED（Deep UV LED）晶粒及销售深紫外光应用产品，该合作案将聚焦于水杀菌、空气杀菌、树脂固化及分析设备等。

据了解，先前Nikkiso规划先台塑化设立合资公司，由Nikkiso取得合资公司51％股权，该UV-LED厂的设备投资额80亿日元（折合人民币约4.86亿元），双方将会用台塑所拥有的半导体、照明用LED量产技术及现有设备，强化成本条件，预期合作顺利启动后，届时封装、测试业务可望由台塑集团旗下福懋科负责。

♦ 助力UV-CLED器件开发，欧司朗与HexaTech签战略协议

2017年2月15日，全球领先的AlN单晶基板供应商HexaTech公司宣布，公司与德国雷根斯堡的欧司朗光电半导体有限公司签署两项战略协议。这些协议包括长期供应协议和若干HexaTech的知识产权(IP)许可，其中，前者涉及作为HexaTech公司2英寸（直径）基板开发项目的直接支持的氮化铝(AlN)基板。对HexaTech的氮化铝（AlN）基板的长期供应承诺，直接支持HexaTech的2英寸（直径）基板开发计划，以及授权某些HexaTech知识产权（IP）。HexaTech首席执行官John Goehrke表示，通过授权HexaTech的技术，欧司朗能够加速其基于HexaTech材料的UV-CLED器件开发。

♦ 日本德山与斯坦利扩大在UV LED领域的合作

2017年2月，日本化学大厂德山（Tokuyama）与日本电气设备大厂斯坦利电气（Stanley Electric）决定，在深紫外线LED领域扩大合作，德山维持深紫外线LED材料研发，而晶圆生产、封装、与产品制造销售等业务，由Stanley Electric负责。德山的深紫外线LED晶圆生产线及专利，均转让给StanleyElectric。

♦ 欧司朗收购LED EnginInc.，特种照明布局再下一城

2017年6月6日，欧司朗发布通告，公司将收购位于美国加利福尼亚州圣荷西的LED供应商LED EnginInc.。LED Engin是一家专注于提供适用于娱乐照明、紫外线、园艺、可调白光和医疗照明应用等专业市场的超亮、超紧凑的固态照明解决方案，其产品主要采用欧司朗光电半导体的LED芯片。

其中，在紫外线产品上，LED Engin为工业应用（如印刷，固化和牙科市场）提供强大的UV LED。

♦ RayVio携手Digi-Key Electronics，推进UV LED技术

8月底，先进的公众健康和卫生公司RayVio签订新的经销协议，其UVB和UVC LED，将可透过全球电子元件经销商 Digi-Key Electronics 向全球立即出货。

♦ 欧司朗牵头成立研究小组开发高功率UV LED

12月初，欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors）表示，目前正牵头一个由德国政府出资的研究小组，共同开发一款高功率、面向大众市场的紫外（UV）LED芯片。其希望在2020年前开发一款250 nm波长到310 nm左右的原型，涵盖部分UV-B和UV-C光谱。欧司朗表示，新的高功率芯片“也有可能开辟新的应用领域”。

【技术进展】

♦ 日机装更大功率UV LED应用在净水系统上

在Nepcon Japan 2017年展览上，日机装技研的技术领导人宫内淳表示，日机装目前的技术已经把标准品的规格，从30mW提升到45mW，在顺方向电压，6V的情况下，已经成功地把UV紫外线光取出效率给提升了，热抵抗值也从15K/W变成7K/W。

据悉，日装机采用AlGaNon Sapphire技术，并将于2017年推出285nm波长的UV-CLED，于350mA、6V之下可达到45mW，透过使用反射层，热阻可降为7K/W。

♦ 美团队研发高效深紫外LED，创业界最低波长纪录

今年3月，美国康乃尔大学的研究团队，研发出一种体积小且更环保的深紫外线LED光源，并创下目前业界deep-UV LED最低波长的纪录。研究人员采用原子级控制界面的氮化镓（GaN）与氮化铝（AlN）单层薄膜为反应作用区域，成功发射出波长介于232到270奈米的深紫外LED。这种232奈米的深紫外线，创下使用氮化镓为发光材料，所发出的光线波长最短记录。之前的记录是由日本团队创下的239奈米。

♦ 国星光电通过特殊成型工艺可提高紫外LED光功率

针对市场提高光功率的要求，国星在2017年光亚展期间全新推出了具有高性价比、高光功率的一次透镜成型紫外LED。据介绍，其在原有的TOP支架基础上，通过特殊成型工艺增加半球透镜，最高可提高60％的紫外LED光功率，保证产品在使用过程中表现更出色。

♦ LG Innotek研发出全球首个“100mW”杀菌紫外线UV-C LED

LG Innotek研发出全球首个杀菌紫外线UV（Ultraviolet rays，紫外线）-C LED，输出功率可高达100毫瓦（mW）。LG Innotek应用光输出最大化的外延结构及垂直芯片技术，打破了技术限制。提高紫外线输出，有效排放热，确保了稳定的品质可行性。100mW 1个LED可以放射强力杀菌紫外线达1万小时以上。

♦ 青岛杰生再次实现技术突破，成功推出3瓦UV-C LED灯

12月22日，圆融杰生再次宣布推出3瓦级别的超大输出功率275纳米UV-C深紫外LED灯。经过国标校准的积分球测试，该275纳米UV-C深紫外LED灯的光输出功率在3.6安培直流电下达到3瓦光输出功率。预计此3瓦级别的UV-C LEDs灯的工作寿命可以达到5000小时。（文：LEDinside James）

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