Graphene作为一种半金属性(semi-metal) 材料, 内部载流子浓度高达1013个/ cm3 ,而且由于 Graphene 特殊的能带结构,载流子可以在电子与空穴之间连续调节 ,使 Graphene呈现出 n型、p型特性。
由于高度对称的晶格结构,使得 Graphene内部载流子的迁移率达到 15000cm2/(vs),而且实验表明,这种迁移率几乎与温度无关 ,说明即使在室温下,Graphene 的迁移率仍然主要受杂质或缺陷的影响 ,通过提高晶体质量,可以提高载流子的迁移率 (高达100000cm2/(vs) )。这些特性为 Graphene在未来电子学中的应用奠定基础。
所以目前石墨烯最重要的应用领域就是结合传统微加工技术,各种器件 (p - n结、场效应晶体管、单分子探测器等 )已经被实验所实现,使 Graphene体现出巨大的应用潜力。
虽然Graphene在微电子学 、纳米电子学 、自旋电子学 、能源存储等方面具有广泛应用前景 ,但是大量的、高质量的 Graphene样品的获得仍然是困扰着人们的问题。
利用微力学解理方法获得的 Graphene强烈依赖所使用的石墨 ,目前所能得到的最大面积仅为微米量级 ,而且效率低下,很难在产业中使用,利用碳化硅分解获得的 Graphene具有大量缺陷,过渡金属表面生长的 Graphene不易分离等都为Graphene的产业化提出了问题。Graphene的制备方法仍需要进一步的完善,要大量生产或许荆棘重重。
关于石墨烯与LED,六年前石墨烯拿到诺贝尔奖之后,很多做LED的人想把石墨烯用在LED芯片与散热领域并写了很多专利,原因就是因为它优异的导热与导电能力,当然还有它的高透明穿透率性质,所以我看到很多关于石墨烯的LED专利都是透明导电层与散热技术方面。
石墨烯也许是一个非常好的导热材料,但是以现在的技术与成本用在LED会非常浪费,目前用在芯片的透明导电层上也是很浪费,除非有生产技术的突破,让石墨烯镀膜成本降低到跟ITO差不多,这样也许因为它的优异特性取代目前的工艺也不无可能。同理用在LED散热材料也是如此。我觉得LED芯片比较有可能比较快用上。(文/广东德力光电有限公司副总经理叶国光)
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