硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖

1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技术发明一等奖。项目主要完成人包括晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益教授，晶能光电副总裁孙钱博士，晶能光电联合创始人、CEO及晶和照明创始人王敏博士等人。

在半导体照明领域存在三条LED技术路线，分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底LED技术路线。其中，前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的，蓝宝石衬底技术的三位主要发明人获得了2014年度诺贝尔物理学奖;碳化硅衬底LED技术的发明人获得了2003年美国总统技术发明奖。

据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外首创的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术领先水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。

硅衬底LED技术从南昌大学诞生，晶能光电投巨资持续研发并产业化，并经晶和照明等众多企业应用推广，已经从实验室走向市场。此次硅衬底LED项目脱颖而出，成为2015年度唯一一个国家技术发明一等奖，这是国家层面对该技术创新和应用的高度肯定。

硅衬底具有良好的导热性，且具有原材料成本低廉，晶圆尺寸大等优点。在硅衬底上制备氮化镓基LED一直是业界梦寐以求的事情。然而由于硅和氮化镓这两种材料巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效氮化镓基LED是不可能的。

以江风益教授为首的研发团队率先攻克这些世界性难题，在南昌大学实验室研发出具有原创知识产权的硅衬底LED技术。2006年，该技术获得金沙江等知名创投的A轮投资，由江风益教授和王敏博士联合创立晶能光电，专注于硅衬底LED技术的产业化。

项目主要完成人之一——江风益教授

历经十年艰苦，后又陆续获得新加坡淡马锡牵头的B轮融资、国际金融公司(IFC)牵头的C轮融资以及亚太资源牵头的D轮融资支持;又在金沙江等投资人的共同努力下，引进赵汉民博士、孙钱博士等多名优秀海归共同奋斗，晶能光电率先于全球成功实现硅衬底LED技术大规模产业化。

2014年8月美国能源部《固态照明研究与发展制造蓝图 (Manufacturing Roadmap：Solid-State Lighting Research and Development)》报告中写道：“晶能光电是硅衬底LED技术的最早实践者，并在 2012 年 6 月开始量产硅衬底氮化镓LED芯片”。这是国际上对晶能光电在硅衬底LED技术和产业化方面领跑的肯定。

作为全球硅衬底LED技术的领导者，晶能光电用短短十年时间将一项实验室技术发展成为全球第三条蓝光LED技术路线，完成全球硅衬底LED专利布局。目前，围绕该项目已申请专利330多项，已授权专利147项，其中授权国际专利47项。这些专利将是构建中国LED产业知识产权池的基石，对我国的LED产业格局和产业安全将产生重大的影响。

据晶能光电孙钱博士介绍，硅衬底LED技术仍有巨大的发展空间，可望获得大尺寸外延片，以便结合集成电路6寸和8寸的装备以及成熟的产线组织和管理经验，进行大规模自动化制造，从而提高生产效率，使LED产品综合成本进一步大幅度降低，这或将影响全球LED行业，改变竞争格局。

江风益教授进一步展望：“基于蓝光LED加荧光粉的照明技术路线，还只是一种过渡性技术方案。我们正努力攻关硅衬底黄光、绿光LED技术，将使无需荧光粉的LED照明技术成为现实。”

文章来源：东北网

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