晶电LED灯泡采用硅基氮化镓技术 电源模组缩75%

LED外延大厂晶电发表最新技术，概念灯泡的电源模组采用硅基氮化镓（GaN-on-Si，在硅基板上生长氮化镓）功率半导体，可将电源模组体积大幅缩小75%。如果量产成功，晶电将从LED领域跨足功率半导体，拉出市场新战线。初期这项技术用于晶电自家LED灯泡，未来可望延伸至手机、笔电、甚至冰箱、洗衣机等的电源。

全球都在开发功率半导体的新材料，近年较热门的是GaN-on-Si。包括美国麻省理工学院、韩国三星、日本东芝都在积极研发。晶电是全球LED外延龙头，原本就擅长在蓝宝石基板上生长GaN的技术（主要用于LED照明和背光领域），因此若要研发在硅基板上生长GaN，相对具有优势。

功率半导体的应用分为两大块，一是通讯微波的功率放大，一是电源管理，后者市场相当庞大，小从LED灯泡内的电源模组，大到手机、笔电、家电甚至电动车的电源。

在上周的2015 LED Taiwan展览中，晶电研发副总谢明勋发表一款新的概念灯泡，其中的电源模组，就是采用GaN-on-Si技术，成功将电源模组的体积减少了75%。谢明勋表示，目前电源管理使用的功率半导体，多采用硅晶圆，改用GaN-on-Si的好处是能源效率更好、可容许更大电压、体积大幅缩小。

日本大厂东芝（Toshiba）在三月初的东京照明展也发表类似技术，在LED灯泡中采用GaN-on-Si技术，不过仅限于功率半导体的单一元件，体积减少4成。相形之下，晶电的技术是用于整颗电源功率模组，体积大减75%。

业界人士分析，这项技术还在萌芽阶段，一旦成功，等于发现市场新大陆，晶电将可从传统LED跨足功率半导体市场。（责编：Nicole）

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