Bridgelux增强与东芝GaNSi技术合作

美国Bridgelux Inc.和日本东芝公司(Toshiba Corporation)宣布，双方达成协议。依照协议，Bridgelux将向东芝出售其矽基氮化镓(GaN-on-Silicon，GaNSi)技术和相关资产，双方公司将透过一项延长的授权与制造关系，增强并拓展策略技术合作。

2012年1月，Bridgelux和东芝就GaNSi LED技术的开发达成联合开发与合作协议。东芝宣布8英寸GaNSi LED外延片实现世界级性能且白色LED投入量产，至此，双方合作宣告成功。这两个里程碑式成就均是透过运用Bridgelux的晶体生长和LED设备技术以及东芝先进的矽制程和制造技术实现的。

这次公布的增强型策略关系带来了新商机，因为它拓展了联合开发的GaNSi技术的新一代LED芯片和封装或平台以及制造协议合作，确保Bridgelux成为GaNSi LED芯片的供货来源。

Bridgelux执行长Brad Bullington表示：“我们与东芝签署的协议象征著双方在长期密切合作过程中取得重大里程碑，使得Bridgelux能够利用我们强大的核心LED技术平台，为我们带来大量新的发展资本，并降低了我们的资本支出。凭借该协议，我们就能将重心放在我们的强项以及我们认为市场此刻最急需的产品上：在公认的全球规模半导体生产伙伴的帮助下，对LED固态照明技术进行商品化和产品化并将之推向市场。我们离成为全球领先的固态照明技术架构公司更近一步。”

东芝企业副总裁兼半导体与保存产品公司执行副总裁Makoto Hideshima说道：“我们对这项交易兴奋不已，它帮我们获得了GaNSi技术和相关资产，将有助于大幅增强我们的LED业务，为我们带来大量极具竞争力的高性能产品系列。我们满心期待我们新的利佛摩团队在GaNSi LED芯片的开发与快速上市过程中发挥领导作用。与Bridgelux的合作进入新阶段后，我们就能加快8英寸GaNSi LED外延片的规模化生产，此举将让双方公司各自的LED业务部门实现强劲成长。我们获得的GaNSi技术还将为公司电源设备的开发与生产带来突破。”

交易完成后，销售中所涉及的GaNSi资产以及相关Bridgelux员工仍将在Bridgelux的利佛摩总部工作，从而确保双方继续展开技术与商业合作。