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爱思强AIX G5+硅基氮化镓技术荣获2013年化合物半导体制造奖

2013-03-06 08:35:47 [编辑：jamiehou]

爱思强股份有限公司昨日宣布，其最新的硅基氮化镓生长设备AIX G5+反应器，荣获“2013年化合物半导体制造奖”。 该奖项旨在表彰在有关芯片制造工艺领域从研究到成品器件等关键环节中取得的卓越创新成就，推动行业向前发展的人士、工艺和产品。



爱思强股份有限公司首席技术官Andreas Toennis表示： “我们一直走在硅基氮化镓技术的前沿，我们非常高兴能荣获此奖项，这是化合物半导体行业对我们所取得成就的充分认可。AIX G5+反应器旨在实现在硅基材上生长氮化镓，并提供可媲美蓝宝石基材生长工艺的性能和产量。”

“硅基氮化镓技术势将成为未来电力电子应用的技术选择，且在低成本高亮度LED制造方面拥有广阔的应用前景，”爱思强欧洲副总裁Frank Schulte博士补充说。

据了解，AIX G5+每生产批次可处理五个直径为200mm的晶圆，通过大面积的基材，有效提高氮化镓设备的产量和良率。


 

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