晶能光电硅基大功率LED晶圆量产入选“全球半导体照明2012年度新闻”

近日，国际半导体照明联盟（ISA）在广州举行年度成员大会，并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率LED芯片的公司”成功入选了“全球半导体照明2012年度新闻”。

同时入选ISA2012年度新闻的还包括：半导体照明联合创新实验室的建立，科锐SC3技术平台，全球首家GaN 衬底GaN发光芯片使LED技术进入新阶段：LED2.0，菲利普在贵阳村庄设立太阳能路灯等，晶能光电全球首家硅基大功率LED芯片量产的新闻按照得分高低排名第二。

“全球半导体照明年度新闻”是全球半导体照明领域最具影响力的新闻事件，此次新闻事件体现了硅基大功率LED芯片量产对于半导体照明的重要意义，也再次确认晶能光电在硅基LED芯片研发制造方面的全球领先地位。

另外，第九届中国国际半导体照明展览会暨论坛也于2012年11月5日至7日在广州保利世贸博览馆举行。晶能光电公司展示了包括28mil、35mil、45mil、55mil在内的多款硅基大功率LED芯片产品，通过此次展会让更多人进一步了解硅基LED芯片产品。

晶能光电拥有的硅基LED技术，具有完整的自主知识产权，目前已申请或获得国际国内各种专利200余项，在蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外，形成了第三条半导体照明技术路线。相比蓝宝石衬底、碳化硅衬底技术，晶能光电目前硅衬底LED技术生产的芯片具有如下三大优势：（一）具有原创知识产权，产品可销往国际市场，不受国际专利限制；（二）具有优良的性能：器件散热好、可在大电流密度下工作、抗静电性能好、寿命长、光斑形状好；（三）器件封装工艺简单，垂直结构芯片，适合做荧光粉直涂工艺，节约封装成本。