大连美明外延片公司GaN基蓝绿光LED项目获中国国家科学技术进步奖二等奖

在近日举行的2011年度中国国家科学技术奖励大会上，大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN基蓝绿光LED的关键技术及产业化》项目获得了2011年度中国国家科学技术进步奖二等奖。

2000年初，美明外延片公司和路美芯片与中国科学院物理研究所和清华大学进行产业化的战略研发合作。先后攻克了制约GaN基蓝绿光LED关键技术与产业化发展的技术瓶颈，其中包括：外延材料的高位错密度、InGaN/GaN多量子阱内量子效率低下、光提取效率低下和器件可靠性尚需完善等。在关键技术和产业化实施方面独立取得了多项核心自主知识产权，产品性能均已实现了与国际先进技术的同步，其中量子阱结构设计、布拉格反射镜、电容式结构等技术处于世界领先水平。

目前，，该项目已拥有了中国早期的LED核心专利，并积累了扎实的产业经验。基于蓝光LED的白光光效>120lm/W，世界公认的技术难点绿光LED的综合性能指标达到同类领先水平，成功实现了蓝绿光LED产业化，已发表SCI论文50余篇，申请发明专利30余项，授权14项。

同时，大连美明外延片和路美芯片公司建成了LED芯片外延片的研发、检测、生产线和现代化厂房；先后承担中国国家半导体照明863专项、工信部电子发展基金招标等研发及产业化项目10余项；拥有涵盖从上游外延片磊晶生长到中游芯片制造工艺等核心专利技术；先后获得中国国家和省市级科技奖励6项。