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InGaN-on-Si长波LED设备由美国玫瑰街实验室首次证实

2011-07-14 10:35:22 [编辑：joyijiao]

近日，美国玫瑰街实验室宣布，首个证实基于硅片可生产长波LED设备，较传统蓝宝石或SiC衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比，由于量子效率的下降，制造绿光LED以及长波氮化物基LED极具挑战性。目前，将由玫瑰街实验室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)负责绿光LED和长波LED的封装。

InGaN-on-Si长波LED具有高强度、低能耗和商业成本极低的优点，预计未来2-3年中该技术可实现在200毫米硅衬底上生产InGaN-on-Si的LED设备，商业前景广阔。

此外，玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。
 
美国玫瑰街实验室位于亚利桑那州凤凰城，是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。

姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)在封装半导体功率器件方面具有丰富的经验，其分布于全球的制造厂将为该实验室提供专属的LED设备封装解决方案。

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