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近日，晶能光电（江西）有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工，2008年4月30日上午举行了竣工投产典礼。今年5月份开始量产，形成年产30亿颗芯片的产能。
晶能光电（江西）有限公司专门从事硅衬底氮化鎵基LED外延片材料与芯片生产的高科技企业，坐落在南昌国家高新区美丽的赣江之滨艾溪湖畔。
在氮化鎵基半导体发光材料领域，晶能光电（南昌大学）创造性发展出第三条半导体照明技术路线。该技术是一种改写氮化鎵基LED歷史的新技术，具有原创技术产权，已获得或者公开国际国内发明专利47项。该专案先后得到了在科技部863计画、资讯产业部电子发展基金、教育部和江西省、南昌市等各类科技计画的资助。
晶能光电目前生产的LED芯片具有如下三大特点：
（一）具有原创技术产权：产品可销往国际市场。
（二）具有优良的性能：产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。
（三）器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺，节约了封装成本。
