2007年4月24日,日立电线株式会社(Hitachi Cable)确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底,对于LED产业将有正面助益。
日立电线公司表示,该衬底采用了「间隙形成剥离法(VAS:Void Assisted Separation)」技术。首先在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,再在GaN薄膜上沉积氮化鈦膜,然后将其放在混合气体中加热,使GaN分解,此时GaN薄膜与金属膜的接触面产生了间隙,接着氢化物气相外延(HVPE)法在这层氮化鈦膜上生长更厚的GaN膜。
其中,产生的空隙层不仅降低了由晶格常数不同引起的应力效应,还降低了GaN厚膜的缺陷密度和翘曲效应的作用,晶体的质量也得到提高,并允许自支撑、大尺寸GaN芯片的直接剥离。工艺目前仍处于研究阶段,日立对其商业化的推广还尚待研究,对于4英吋的衬底,公司也表示尚无明确计划,还需针对客户需求做更深入的了解。