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08:10-08:30
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领导致辞 (Welcome)
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08:30-09:05
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应用于能源互联网的功率半导体器件
Power semiconductor devices for energy internet 邱宇峰教授，国网全球能源互联网研究院 |
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09:05-09:40
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基于GaN的MHz功率转换器在数据中心中的应用
GaN based MHz power converters for data center application Prof. Qiang Li, Virginia Tech, USA （美国弗吉尼亚理工大学） |
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09:40-10:15
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宽禁带器件应用于功率变换器的机会与挑战
The opportunity and challenges of WBG devices applying to power converter Dr. Ray Hsing, Delta Electronics（台达电子） |
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10:15-10:30
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茶 歇
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10:30-11:05
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宽禁带电力电子技术的机遇和挑战
Benefits and Challenges of WBG Based Power Electronics Prof. Fred Wang, University of Tennessee, USA（美国田纳西大学） |
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11:05-11:40
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应用于混合动力汽车的全SiC逆变器系统
Installation of all-SiC invertor system to hybrid electric vehicle Dr. Hiroki Miyake, Toyota Motor Corporation（日本丰田公司） |
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11:40-12:10
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GaN器件在DC-DC转换器中的集成与应用
Application and integration of GaN devices for DC-DC converters
杨旭教授，西安交通大学
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12:10-13:10
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午餐
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2016年5月21日下午
May.21 2016,Afternoon
宽禁带半导体电力电子封装技术
Packaging for WBG semiconductor power electronics
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14:00-14:35
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电力电子变压器的机遇与挑战
Opportunities and Challenges of Solid-state transformers
李耀华教授，中国科学院电工研究所
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14:35-15:10
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高性能和高温封装无铅低温烧结的粘片技术
Development of lead-free, low-temperature sintering die-attach technique for high-performance and high-temperature packaging 陆国权教授，美国佛吉尼亚理工大学 |
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15:10-15:45
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针对宽禁带电力电子技术特性的封装技术
Packaging technologies to exploit the attributes of WBG power electronics Dr. Zhenxian Liang, Oak Ridge National Lab, USA（美国橡树岭国家实验室） |
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15:45-16:05
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茶 歇
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16:05-16:40
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高压封装的现状与挑战
Status and challenges of high-voltage packaging 张红卫教授，中车西安永电公司 |
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16:40-17:15
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无源器件的封装与集成技术
Packaging and integration of passive components 王来利教授，西安交通大学 |
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17:15-17:45
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互动交流（Panel Discussion）
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18:00-20:00
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欢迎晚宴
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2016年5月22日上午
May.22 2016, Morning
宽禁带半导体电力电子器件
WBG semiconductor power devices
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08:10-08:50
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SiC功率器件的物理、原理和结构
Introduction to SiC devices : physics, working principles, architectures Prof. James Cooper, Purdue University, USA（美国普渡大学） |
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08:50-09:25
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GaN 功率器件的性能提升
Enhancing the Performance of GaN power devices
陈敬教授，香港科技大学 |
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09:25-10:00
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新型高压AlGaN基功率开关器件
Novel high-voltage AlGaN-based power switching devices 张进成教授，西安电子科技大学 |
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10:00-10:20
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茶 歇
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10:20-10:55
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SiC MOSFET,IGBT和晶闸管的研究进展
Progress in SiC MOSFET, IGBT and thyristors 张安平教授，西安交通大学 |
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10:55-11:30
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SiC MOS界面的机理
Inside the MOS Interface on SiC Dr. Tetsuo Hatakeyama, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan（日本产业技术综合研究所） |
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11:30-12:05
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SiC 功率器件和模块的发展
Development of SiC power devices and modules Dr. Hirokazu Asahara, Power Devices R&D Department, Research and Development Division ROHM Co., Ltd., Japan（日本罗姆公司） |
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12:05-13:10
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午餐
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2016年5月22日下午
May.22 2016, Afternoon
宽禁带半导体材料
WBG semiconductor materials
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14:00-14:35
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GaN衬底技术
GaN bulk substrate 徐科教授，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
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14:35-15:10
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MOCVD应用于III-nitride器件的外延生长：目标与挑战
III-nitride epitaxy for transistors by MOCVD: ideals and compromises 刘纪美教授，香港科技大学 |
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15:10-15:45
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SiC外延与表面缺陷与电学性能的关联
Correlation between SiC epi/surface defects and electrical characteristics
Dr. Makoto Kitabatake, ToyoTanso Co., Ltd.，Japan（日本东洋炭素）
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15:45-16:05
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茶 歇
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16:05-16:40
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SiC衬底的气相生长技术
Developing technologies of SiC gas source growth method Dr. Jun Kojima，Denso Corporation, Japan（日本电装公司） |
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16:40-17:15
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溶液法制备无缺陷4H-SiC衬底进展
Development of dislocation-fee 4H-SiC bulk by solution method Dr. Katsunori Danno, Toyota Motor Corporation（日本丰田公司） |
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17:15-17:45
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互动交流（Panel Discussion）
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17:45-17:50
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闭幕式(Closing remarks)
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