SSLCHINA 2015最新播报之吴洁君：21片HVPE系统及GaN单晶衬底研究进展

随着“互联网+”被写入政府工作报告，一个智慧和共享的信息时代正在到来，而“互联网+”也正成为一种新的经济形态，发挥着互联网在生产要素分配中的优化和继承作用，有效提升实体经济的创新力和生产力。
 
2015年11月2-4日，第十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2015）将在深圳会展中心举办，论坛紧扣时代发展脉搏与产业发展趋势，以“互联时代的LED+”为大会主题，探讨产业发展新趋势，解读产业新政策，推荐产业新技术、新应用，引导和解决产业发展共性问题。
 
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）作为中国地区最具国际影响力的半导体照明及智能照明行业年度盛会，已经成功连续举办十一届，早已是业界最为关注的论坛之一。本届大会特邀科技部副部长、国家制造强国建设领导小组副组长曹健林担任中方主席，外方主席为国际照明委员会主席、美国国家标准与技术研究所传感器科学部首席研究员Yoshi Ohno，组委会秘书长为国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲。目前开闭幕大会、技术分会等特邀嘉宾正在全球征集中。
 
据组委会最新消息，北京大学物理学院高级工程师、工学博士，东莞市中镓半导体科技有限公司技术总监吴洁君女士将出席本次论坛，并在P201“材料与装备技术分会”上分享最新研究成果。
 
吴洁君博士，2003年4月进入中科院半导体所学习并获博士学位，2006年4月在北京大学物理学院宽禁带中心从事博士后研究，2007年12月获得日本学术振兴协会（JSPS）资助任日本三重大学任外国人特别研究员，2009年12月回国加入北京大学物理学院。
 
据了解，2003年4月起，吴洁君就开始从事氮化物半导体材料、器件的研究、MOCVD及HVPE生长技术研究及国产设备开发，主持并参与了国家863 课题、国家973项目和国家自然科学基金等多项国家重大课题研究，在2-4英寸GaN单晶衬底研制及量产化技术；HVPE生长GaN厚膜和AlN厚膜的工艺特性与生长机制；非极性面氮化物HVPE生长；硅基MOCVD生长无裂纹GaN基器件等方面均开展了深入的研究，发表相关的SCI论文数十篇，获得授权和申请的国家发明专利数十项。此前，她还曾获国防科工委的国防科学技术二等奖（2001GF2069-5，排名5），航空工业总公司的航空科学技术奖一等奖（20011137，排名5）和三等奖（20001061，排名1）。
 
众所周知，近几年来，自支撑GaN衬底由于其低位错密度及高导热性已得到广泛应用。HVPE方法是最适用于生长GaN厚膜的方法之一，它与自分离技术相结合已经能够成功制备出自支撑GaN衬底，但若要进一步提高GaN衬底的生产效率，就必须如同多片MOCVD机生产LED管芯一样，发展多片HVPE系统。然而，由于受制于膜厚均匀性等关键问题目前还无法解决，因而导致多片HVPE系统至今仍处于初始阶段。
 
对此，吴洁君博士表示，通过建立大型加热炉热场稳态及非稳态模型，并采用增加绝热反射层的方式控制热散失，可以实现可控的大面积均匀温场，从而开发研制出大反应室21片HVPE系统。
 
据吴洁君介绍，目前，大反应室21片HVPE系统可以实现同时生长21片10-50um复合衬底，片内均匀性约10%，片间均匀性小于5%。同时，开发出低缺陷密度、无裂纹GaN厚膜的HVPE生长技术、可控的2英寸GaN厚膜与异质衬底的完整分离技术和流量调制多片均匀性HVPE生长技术。而且在HVPE生长中，采用渐变调节并周期调制的方法，可以既控制GaN厚膜开裂，又控制缺陷密度，达到制备高质量的GaN厚膜衬底材料的目的。
 
利用此方法能够成功获得无裂纹厚度达到370微米的GaN厚膜，其位错密度降到5×107 cm-2。“针对2英寸GaN厚膜难于和异质衬底分离的问题，我们提出在生长界面、衬底和生长过程等多环节应变控制的自分离技术。同时，在理论模型的指导下，控制薄膜厚度的均匀分布及膜厚达到临界厚度以上，实现GaN自分离过程可控。获得的2英寸自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高，厚度偏差<±5%，位错密度达到2-5×106 cm-2。在同质衬底上同质外延高光效白光LED。”吴洁君表示。
 
2015年11月，吴洁君博士将带着“大反应室21片HVPE系统”的最新研究成果出席第十二届中国国际半导体照明论坛（SSL CHINA 2015）的“材料与装备技术分会”。届时，与会嘉宾不仅能听到“大反应室21片HVPE系统”的详细介绍，还能获得GaN单晶基最新研究进展，以及对半导体照明产业技术发展趋势的深入探讨。
 
SSLCHINA之所以具有高度的国内外影响力和美誉度，不仅在于论坛高水平、高规格，更得益于论坛汇聚了全球半导体照明产业顶级专家的智慧与成就，而本届SSLCHINA即将您呈上一场更具规格半导体照明产业的饕餮盛宴。

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