4月29日,法国3D结构GaN LED技术开发商Aledia宣布,公司成功研发1.5μm以下的Micro LED并具有超过32%的外部量子效率(EQE),从而实现每瓦电功率为320毫瓦可见光输出的光电转换效率 (WPE) ,能源效率创造了新的世界记录。
Aledia表示,高EQE意味着更多的电力被转换为可见光,从而降低能耗并延长了设备电池寿命。同样,高WPE说明了Aledia的Micro LED能够提供明亮、生动的显示,同时用电更少,这为建立高性能环保显示技术提供了一种新的规范。
Aledia还表示,通过深度科技技术,新研发的Micro LED在原生红、绿、蓝色的 (RGB) 方向性和像素尺寸缩小方面上取得了突破性进步,让AR显示效果更加清晰,图像更将鲜艳。
Aledia的Micro LED技术(图片来源:Aledia)
此外,Aledia还透露公司Micro LED产品已达到99% DCI P3色域标准,产品可实现更广泛的色彩范围,Micro LED技术色彩保真度方面进一步加强,确保终端应用的显示效果。
资料显示,Aledia于2012年从法国Micro和纳米技术领先研究机构CEA-Leti实验室分拆出来,公司一直致力于3D结构GaN Micro LED技术的研发,该技术也称作纳米线技术(nanowire)。
纳米线技术通过在晶圆上进行纳米等级的柱状立体加工制程打造出LED,这种LED产品拥有更高发光亮度,并且通过调节纳米线结构即可实现全彩显示。Aledia的Micro LED产品可用于各类显示产品上。
去年10月,Aledia完成最新一轮融资,融资金额为1.2亿欧元(约合人民币9.24亿元),融资资金将用于量产Micro LED产品。(LEDinside Irving整理)
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