50万尼特，JBD宣布量产高性能红光Micro LED微显示器

近日，Micro LED微显示器领导制造商上海显耀显示科技有限公司（Jade Bird Display，以下简称 “JBD”）取得重大技术突破， 实现了50万尼特级超高亮度红光Micro LED微显示器的量产。

图1. 红光芯片点亮实拍图

如何实现高亮度红光Micro LED的方法一直是业界难题，更是Micro LED微显示技术产业化的关键壁垒。JBD此次推出的0.13英寸红光微显示器产品突破了效率限制，实现了50万尼特的亮度水平，刷新了其既往保持的亮度记录。

JBD红光高性能产品的推出，将有利于Micro LED技术在运动光学、车载显示、近眼显示等多种场景下进行进一步拓展，同时也为Micro LED的全彩化AR应用奠定了基础。

图2. 高倍显微镜下的像素显示效果

图3. 红色Micro-LED像素阵列显示效果

JBD的红光产品是基于其发明的混合集成半导体技术，将AlGaInP半导体材料与硅基CMOS于晶圆级集成而产生的自发光微显示器。AlGaInP半导体材料是实现高性能红光的关键，其拥有最匹配红光的半导体禁带宽度，是行业中用于制作红光LED最成熟的半导体材料。

据悉，JBD多年来一直坚持AlGaInP基红光Micro LED技术路线，通过持续深入研发，在材料生长和芯片技术研发两端同时发力，突破了红光尺寸效应瓶颈，实现了红光性能的巨大提升。

JBD本次推出的0.13英寸红光芯片中，像素尺寸仅4微米，Micro LED发光点仅2微米，但其可轻松加载微安级的驱动电流，产生50万尼特级超高亮度。相比较，基于量子点色转换的QD-LED及Micro OLED作为另外两项主流的自发光微显示技术，根据目前公开仅数千尼特的亮度水平，JBD的红光芯片实现了数十倍的性能超越。

除了超高的亮度之外，出色的显示质量和可靠性水平更是Micro LED微显示器产品化的关键。JBD的AlGaInP基红光产品实现了极窄的发光谱宽，在色纯度方面表现极佳。如图4所示，该产品的光谱半波宽仅约15nm，远低于InGaN基红光近50nm及QD-LED近30nm的典型半波宽度。

此外，出色的显示质量离不开CMOS背板与Micro LED的紧密配合。在JBD的专利IC背板技术加持之下，红光产品实现了>95%的像素级显示均匀性、>100000:1的超高对比度、以及<1%的相邻像素间串扰。AlGaInP材料的稳定性及优异的芯片级封装技术保障了该红光产品优异的可靠性。标准的寿命测试的结果证明该产品可达数万小时使用寿命，远超市面上其它主流自发光微显示技术的寿命水平。

图4. 典型的AlGaInP LED电致发光光谱，半波宽~15nm

总而言之，JBD高性能红光Micro LED显示器的量产使其多种颜色的系列微显示产品实现了完整化，将强力拓展其单色至全彩多领域的应用。迄今，JBD已实现微显示面板出货超百万个，源源不断地向下游Micro LED终端应用产业链提供核心显示元件，加速了Micro LED技术在近眼显示AR/VR、HUD抬头显示、运动光学、3D打印、微投影、光场显示等领域的应用步伐。（来源：JBD）

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