国星光电透露Mini/Micro LED、三代半最新进展

11月24日，国星光电发布最新的调研报告，与投资者分享公司在第三代半导体及Mini/Micro LED领域的发展近况。

国星光电在第三代半导体领域方面的布局覆盖上游芯片、中游封测及下游应用。上游芯片方面，国星光电布局了硅基氮化镓的外延芯片；在中游封装上，国星光电已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线；而下游应用端，国星光电积极与相关企业洽谈合作和订制样品的开发。

在外延芯片领域，国星光电积累了一定的技术优势，其子公司国星半导体拥有硅基氮化镓芯片相关技术储备。目前，国星半导体联合多所高校及研究所展开GaN功率器件、紫外探测器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研发工作并参与两项第三代半导体方向的省级研发项目。

在超高清显示领域方面，国星光电研发了覆盖MiniLED直显 P0.4到P0.9全系列产品, 其中 MiniLED P0.4系列产品采用独创的20 in 1 封装方式是目前全球封装密度最高的 Mini 产品。

图片来源：拍信网正版图库

Micro LED方面，国星光电的巨量转移工艺取得突破性进展，产品良率高。此外，国星半导体开发了面向P0.3和 P0.1间距Micro LED芯片，目前小批量供货国星光电研究院。

另外，国星光电透露，目前公司推出了智能健康感测器件，可广泛应用于智能手表、智能手环等设备场景。公司智能健康感测器件主要由发射器 1816 系列及接收器 3220 光敏系列组成。目前，该智能健康感测器件已实现量产并已与客户展开相关合作。（LEDinside 整理）

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