GT推HVPE系统加速磊晶生长， 资本支出可望减少25%

LED价格下滑趋势不变，LED晶片厂不断在制程与技术方面进行改善以降低成本，半导体设备厂极特先进科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)开发取代MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统，未来LED晶片厂可以透过增加HVPE系统的方式加速磊晶生长，相较以添购MOCVD方式扩增产能，辅以HVPE系统扩增产能可望为LED晶片厂最高省下25%的资本支出。

GT已在2013年5月发表利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）独家拥有的HVPE专利技术，HVPE技术的特点是生长速率快，能够以较低的成本快速生长nGaN和uGaN，HVPE所用的前驱体(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驱体TMG，便宜10倍，加上HVPE系统在nGaN和uGaN的产出速度较MOCVD快，因此，LED晶片厂未来可以透过增加HVPE系统方式扩增产能。

GT举例说明指出，一台HVPE的产能相当于2台MOCVD,也就是对于一个已经拥有12台MOCVD的LED晶片厂来说，厂商若希望将产能增加一倍，已往就是采取再度购置12台MOCVD方式达成目标，但现在可以在不添增MOCVD机台下，进而购置6台HVPE系统，以HVPE系统取代nGaN和uGaN的生长制程，同时可以让MOCVD机台专注于其他layer的生长达到产能扩增的目标，这样一来，LED晶片厂购置设备成本将可望明显降低。

GT指出，HVPE系统可实现蓝宝石基GaN的规模化、低成本生产，估计HVPE系统可降低超过80%的前驱体成本，同时提高昂贵MOCVD制程的产量，最高可以为LED晶片厂降低25%资本支出，HVPE系统预计将于2014年下半年上市。