GT与Soitec共同开发HVPE系统，以降低 LED 生产成本

极特先进科技公司(GT Advanced Technologies；GTAT)与Soitec宣布一项开发及授权合约，根据该协议，GT将与Soitec共同开发和商品化用于生产低成本氮化镓(GaN)模板基板的大容量多晶圆“高效氢化物气相磊晶”(HVPE)系统。这套 HVPE 系统预期可降低 LED 生产成本，并加速在商业和住宅照明领域中的应用。

这套HVPE系统将用于生产 LED 或其他高成长产业(例如电力电子业)所用基板的优质 GaN 磊晶薄膜。与传统的MOCVD制程相较， HVPE 系统可能带来更高的成长率并改进材料特性，可望显著降低制程成本，同时提高设备性能。协议中规定的专利技术授权费的首期预付款已经开始支付，但是具体条款尚未对外揭露。

Soitec旗下子公司Soitec Phoenix Labs拥有独家 HVPE 专利技术，包括可望降低输送至HVPE反应器的前驱体成本的新颖且先进的来源输送系统。GT公司将利用上述 HVPE 专利技术来开发、生产和商品化 HVPE 系统。这套 HVPE 系统可实现 GaN 模板蓝宝石基板的规模化生产。 HVPE 系统预计将于2014年下半年上市。

Soitec Phoenix Labs副总裁兼总经理Chantal Arena表示：“我们已在 GaN 磊晶制程开发方面倾注六年多的时间，并且在 HVPE 技术方面也已取得了关键性突破。这项技术对生产高品质、低成本的蓝宝石基板的 GaN 薄膜相当重要。”该公司并表示与GT共同宣布这项开发和授权合约旨在将 HVPE 技术整合进其蓝宝石中，使Soitec能够针对差异化的技术和产业合作伙伴提供材料与设备等各种 LED 照明系统。

GT 总裁兼执行长Tom Gutierrez表示，GT致力于提供改变产业(如太阳能 PV 和 LED )的创新设备，随着不断拓展新的高价值技术以扩大业务范围和向市场提供成功的解决方案，GT与Soitec签订协议，期望透过 Soitec Phoenix Labs 在 GaN 制程的专长提供先进技术与经验，让新上市的 HVPE 系统能够进一步降低 LED 设备成本，从而有助于推动产业形成更强的竞争力。