晶电LED专利获证已达1,000件，迈向新的里程碑

晶电已于近日取得第1,000件专利证书。晶电于全球另有1,000件以上的专利申请案尚在进行审理中，因此，未来获证量将持续成长，专利布局朝下一个里程碑迈进。

自1996年成立以来，晶电坚信技术研发的领先是在LED产业中扮演重要角色的必要条件，而如专利等智慧财产权的布局则是引领公司走向成功之道的指标。

在晶电大量的专利布局中，最早展开的核心技术是晶电创始人于ITRI(工业技术研究院)时开发的ITO技术。发光二极管在早期发展时使用薄金属来扩散电流，但此结构有光摘出效率不佳的缺点。晶电创始人了解ITO具有透明性及导电性的优点，于发光二极管中采用ITO来增进电流扩散及提高出光效率。此外，因为ITO的低接触电阻特性可以作为良好的欧姆接触层，且它的光学特性也适合光场调整。晶电这项创新科技的在全中国、日本、韩国及美国等地均获得专利。

晶电的另一项核心技术是接合技术，它提供了发光元件选择基板的弹性。晶电的研发团队发展出使用多种材质，例如金属、胶材及绝缘材料的接合技术，使磊晶结构不受成长基板的限制。以GaN-on-Si为例，当于矽基板上成长氮化物后，磊晶结构可借由接合技术转移到透明或反射载体，以避免因为矽的不透明性造成光线被吸收。在其他应用上，多个不同色光的LED结构可被结合在一个共同的基板上进行混光。因为不同的结合材质，LED可依应用需要设置在不同的载体上。举例来说，低温金属结合制程可强化机械强度加上所需之反射特性来提高光摘出效率，有助于降低垂直结构蓝光LED之制造成本。另外，晶电创新的胶材或绝缘材料结合可提供LED兼顾机械强度与透明度的透明接口，非常适合照明与LED显示器应用。晶电成功地获得这项技术的多国专利，包含中国、日本、韩国及美国专利。

对需要高功率的应用而言，大尺寸晶粒通常是较佳选择，因为它可承受高注入电流而具有高电性效率。晶电自一家瑞士公司取得相关核心专利，包含延伸电极的设计，可降低制造成本同时解决光在LED晶粒内受到侷限或损耗的问题以增加光电效率。

作为第一家成功量产高电压 (HV) LED晶粒的公司，晶电也发展多单元/多接面形成于一共同基板的多种排列设计以利高电压驱动。借由巧妙的导线设计，HV LED晶粒有绝佳的电特性与适用于多元化照明应用的弹性。除了此种特别的结构，由于晶电可提供全光谱的产品，搭配其绝佳的单一或多单元/多接面的红光及蓝光晶粒，晶电可协助客户加以组合提供暖白色的LED 照明方案。晶电已于中国、日本、韩国及美国等国家取得相关的设计专利与发明专利。

晶电研发团队拥有丰沛的研究能量及远见，因此目前的专利布局中已有不少随时可运用的新技术，以迎接LED照明时代的来临。于透明载体上串接多颗晶粒形成仿灯丝结构以应用于取代型灯泡或灯具，便是具代表性的佳作之一。再者，晶电也在非接触式萤光粉领域中取得专属授权，适用于波长转换元件与照明光源间具有光学元件的结构。有了这些受专利保护的技术，晶电可与客户一起开发更具竞争力的产品，并加快LED在照明领域发展的速度。

晶电不仅尊重他人之智慧财产权，对保护自己的智慧财产权亦不遗余力。因此除了自己发展专利外，亦向外购买取得专利以强化专利布局。专利不只展示了晶电于工程的努力与能力，也使晶电的客户与伙伴在LED产业中能更有保障。