国星光电拟投资3.7亿人民币发展新型TOPLED技术

近日,国星光电股份有限公司将投资3.7亿元人民币建设新型TOPLED制造技术及产业化专案。

国星光电现已与佛山市国土资源局签订了土地使用合同, 出资1717万元购得禅城区16805.23平方米的地块,另外,将斥资1.32亿元在此建设新厂区,并将实施2.24亿元新型TOPLED制造技术及产业化专案。

新型TOPLED专案产品,是一种具有自主知识产权的采用PCB材料制造的新型TOPLED支架, 基于这种新型基板材料设计和封装的新型TOPLED,具有高导热性,使得器件在显示幕、日光灯管等高密度使用状态下具有更好的散热性能。另外,该专案产品采用平面阵列封装,能较大幅度的提高生产制造效率。

目前该新型高导热基板及基于导热基板的器件结构已经申请1项发明专利、1项实用新型专利,基于该新型高导热基板的H5050RGB器件已经开始试产,他型号器件也正在开发中。

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