三星电机与RPI合作研发LED，优化照明和数据传输性能

Rensselaer Polytechnic Institute（RPI）与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）合作开发极化匹配LED，将照明输出提高20%，同时表征LED转化效率的参数，将电光转换效率提高25%。

新器件显著降低了“效率沉降”现象，而该现象正是LED器件效率的主要限制因素。众所周知，当低密度电流流过LED 时，其效率最高。但有些应用，比如亮度更高的灯泡，需要采用高功率器件，这样LED就会损失效率。尽管效率沉降的原理还没有完全清晰，但已有研究表明，一大部分原因来自于电子泄漏。

该研究项目的主管Fred Schubert介绍，我们追踪到电子从发光的有源区逃逸的过程。在有源区，我们希望电子保持在空穴里，这样可以重组并发光，但如果载流子离开了活性区，很明显将不再有重组发生。我们认为这是效率沉降的源头：载流子之一离开了活性区，这就形成了活性区的漏电。”

由于目前的高亮度LED都工作在超过效率峰值的高电流密度范围，因此这种现象非常普遍。很自然的想法是降低工作电流密度到效率峰值区域，但其亮度无法接受，因此这一难题也成为LED应用的巨大障碍。

其他研究人员也尝试过电子阻挡层，但结果却不尽人意。PRI的研究小组——由学者、工业界伙伴和学生组成——则采用了极化匹配的概念。他们在有源区使用四极性材料，采用四极性和三极性材料的复合物，用不同方法降低极性，每种方法都得到了积极的结果。

新的LED具有全新设计的极性-匹配有源区，可以让器件在高电流密度区域获得效率峰值。他们研究了LED中产生光的有源区，研究人员发现，里面带有极性失配的材料，很可能就是电子泄露，也就是效率降低的原因。更多的研究显示，通过采用不同的量子障碍设计，可以极大的降低极性失配。采用传统 GaInN/GaInN 来替换LED有源区的GaInN/GaN层。可以获得更匹配的极性，降低了电子泄露和效率沉降。

LED中传统GaInN/GaN有源区和新型极化匹配GaInN/GaInN有源区的能带图
（来源：Rensselaer Polytechnic Institute）

Schubert表示，“氮化物与硅和砷化镓不同，氮化镓具有较高的内部电场，这是个麻烦。我们的极性匹配结构恰好长在c面蓝宝石衬底上，这样可以在有源区极大的降低电场。结果，抑制了效率沉降现象，发光输出功率提高约20%，电光转换效率提高了约25%。对于LED产业来说，这是令人非常惊喜的数字。为了将效率提高5%，业界都愿意做任何努力；20%是非常巨大的改善。”

Schubert指出，对于效率沉降的单一原因，学术界还没有取得一致。“下一步是找出背后的物理原因，并全面地解除造成效率沉降的原因，详细瞭解所有的方面。”该研究小组将继续探索可以进一步改善器件的其他可能的LED结构。LED还可以实现其他附加功能，例如可改变的发光性能、与太阳光相似的颜色和温度，这样可以获得更接近自然的全光谱照明。

“我们可以调制光谱，这样可以得到自然的、可调节的光源，并可用来处理数据。这是我们的目标之一：产生光以及处理数据的双重功能。想像一下，机场候机楼的照明灯、路上的交通信号灯，除了照明功能外，还可以用来通讯；建筑物里的光源可以带有房间号和信息，可以追踪建筑物内的物体。智能光源可以实现这一切。这是我们的长远目标。”Schubert期待，与医疗保健、交通系统、数字显示和计算机网络一样，基于LED和固态照明的照明器件可以掀起一轮新的环保、节能和低成本浪潮。