沛鑫半导体100 lm/W高功率LED近期可望实现商用
2008-02-26 10:49:06 [编辑:Emma]
富士康旗下LED制造商,沛鑫半导体表示,具有100 lm/W发光效率的高功率LED将在今年3月或4月投入商用。沛鑫半导体预计到2010年前LED光效率将会达到150 lm/W,有助于使用LED的街灯的成本减半。
先前日本LED大厂日亚化(Nichia)在2006年就推出了100 lm/W发光效率的LED。Cree公司的LED芯片的光效率可以达到130 lm/W,但由于成本高产品很难用于商用。因此,LED的光效率主要是70~80 lm/W,60~75 lm/W可以取代目前高压钠灯。
2006年至2010年,高功率LED照明应用的复合年增长率达到75.2%,市场规模在2008年达到3.8亿美元。
【版权声明】
「LEDinside - LED在线」所刊原创内容之著作权属于「LEDinside - LED在线」网站所有,未经本站之同意或授权,任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部,亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。
【免责声明】
1、「LEDinside - LED在线」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释,该公开资料,属可靠之来源搜集,但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务,改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「LEDinside - LED在线」上出现的信息(包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等),力求但不保证数据的准确性,均只作为参考,您须对您自主决定的行为负责。如有错漏,请以各公司官方网站公布为准。