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UCSB与三菱化学联合发表利用GaN结晶非极性面的蓝光LED

2007-10-08 09:58:33 [编辑：Emma]

在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「ICNS-7」上，加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色LED。

该LED利用非极性面中的m面的蓝色LED。如果将阱层厚8nm、势垒层厚18nm的量子阱的发光层进行6次层迭，即形成6层，在20mA电流驱动下，光输出功率为23.7mW，外部量子效率为38.9％。此时，发光波长为407nm。

同样地，如果将阱层厚16nm、势垒层厚18nm的量子阱的发光层进行6次层迭，即形成6层，在20mA电流驱动下，光输出功率可达28mW，外部量子效率可达45.4％，此时发光波长为402nm。

当驱动电流增至200mA时，该款LED产品的光输出功率高达250mW，外部量子效率高达41％。

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