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由科学家Shuji Nakamura、Steven DenBaars所主持的美国加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara；UCSB）非极性GaN材料研究团队，日前宣佈该团队研发出的蓝紫光InGaN LED，于200mA的高电流下创造出250mW输出功率的新高纪录，具备有41%的外量子效率（EQE）。
该团队的成果是让这款LED在20mA的电流下工作，可达到28mW的输出功率，当时的波长最高为402nm，而外量子效率为45.4％，之后将电流提高到200mA时，输出功率达250mW，外量子效率只有些微的下降程度，达到41％。
过取以来，透过生长的方式打造非极性GaN LED被视为提高效能的手段，可是目前非极性GaN LED的效率都逊于传统的LED架构，该研究团队透过日本三菱化学提供的m面GaN衬底，是这次研究获得突破性成果的主要原因。三菱化学是采用HVPE方法产生的C面GaN进行切片获得m面GaN衬底。
该研究团队仍致力于打造更加效能的技术，并已经展开透过标准工艺来打造新芯片的工作，设法提高产品效率。不过，若是要商业化，得克服m面GaN衬底的产量与价格问题，加上m面GaN衬底的尺寸非常小，未来如何应用传统的MOCVD设备来打造又不至于成本过高，是待克服的问题。
