兆驰半导体公布两项Micro LED专利技术

6月20日，兆驰半导体官方宣布，公司近日在Micro LED领域取得了两项专利技术，专利名称分别是“一种Micro LED芯片及其制备方法”和“一种用于Micro LED芯片及其制备方法”。

其中，6月6日，兆驰半导体公布了“一种Micro LED芯片及其制备方法”的发明专利。

图片来源：兆驰半导体

该发明提供一种Micro LED芯片及其制备方法，该方法通过将红绿蓝三色外延层制备在同一个衬底上，然后再依此制备电流扩展层、反射墙、第一电极、布拉格反射层、第二电极及焊盘层，且所述反射墙设置于红绿蓝三色四周，使得红绿蓝三色芯片侧面出光可以通过反射墙反射从衬底面射出，避免了蓝光外延层吸收绿光芯片的侧面出光，绿光外延层吸收红光芯片的侧面出光，造成绿光芯片和红光芯片的亮度损失。

所述方法制备的Micro LED芯片不需要衬底剥离工艺，降低了衬底剥离工艺所需要的高额成本，同时该方法还可以同时在衬底上完成N个像素点，相当于无限的缩小像素点之间的距离，得到更优秀的显示效果。

除此之外，5月23日，兆驰半导体还在企查查公布了“一种用于Micro LED的外延片及其制备方法”的发明专利。

图片来源：兆驰半导体

该发明公开了一种用于Micro LED的外延片及其制备方法、Micro LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、V型坑开口层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；V型坑开口层包括依次层叠的SiO2岛层、SiO2岛填平层和V型坑开口延伸层；SiO2岛层包括多个阵列分布于N‑GaN层上的SiO2岛；SiO2岛填平层包括AlN层；V型坑开口延伸层为InGaN层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构。

实施该发明，可提升发光二极管的发光效率，提高抗静电能力，提高发光波长和发光亮度均匀性。（来源：兆驰半导体）