芯元基实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示

1月10日，上海芯元基宣布在Micro LED微显示屏方面又取得新突破，成功攻克了像素间距 7.5μm芯片阵列键合工艺，实现了0.39英寸    单色Micro LED微显示屏视频显示。

据介绍，本次制作出的显示模组，像素间距为7.5μm、分辨率为1024*768、显示面积为0.39英寸，CMOS驱动芯片由北京数字光芯集成电路设计有限公司提供，模组光电参数和显示效果佳。

资料显示，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司，产品主要应用于工业固化、AR/VR、智能手表、电视、户外显示和特殊照明等领域。

据悉，芯元基在2021年10月份正式进入Micro LED领域，2022年1月份，先后研发出了16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片以及适合微显示的pitch 8μm Micro LED芯片阵列。

2022年7月27日，芯元基突破像素pitch小于4μm的关键工艺，成功点亮0.12 inch 、pitch 3.75μm的适合AR眼镜显示用的Micro LED芯片阵列。

同年8月29日，芯元基成功点亮InGaN基红光适合微显示的pitch 8μm Micro LED芯片阵列。至此，芯元基完成微显示芯片全彩化方案所需的GRB三种单色光源，且全部是基于InGaN的材料体系。

同年10月13日，芯元基利用现有OLED驱动技术，成功实现了0.41 inch 单色Micro LED微显示屏视频显示。

值得一提的是，芯元基在不断突破Micro LED微显示技术的同时，还加速第三代半导体氮化镓项目的建设。

 2020年11月20日，芯元基第三代半导体氮化镓项目签约安徽池州高新区起，项目规划用地约100亩，分两期建设。其中，一期投资2亿元，打造一条GaN基DPSS衬底生产线，一条UVA 365nm芯片生产线，并建设配套设施等；二期投资4亿元，建设行政、生产一体化厂房及配套。

凭借在Micro LED等领域的优势，芯元基备获资本青睐。目前，芯元基已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。（LEDinside Mia整理）