- 1 南科大合作实现单分散性
- 2 季华实验室在高分辨率OLE
- 3 复旦科研团队研发基于全
- 4 中科院长春光机所郭晓阳
- 5 南科大林君浩课题组合作
- 6 大连化物所研制出“风车型
- 7 北大高宇南课题组与合作
- 8 北京工业大学在高性能线
- 9 广东省科学院半导体研究
- 10 中国科大在钙钛矿半导体
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LED产品材料简表，以下是相关的材料性质与内容。
| 原 料 | 物 理 性 质 | ||||||
| 发
光
体 | 衬
底 | 生 产 方 法 | 发 光 顏 色 | 发光波长(毫微米)
| 外部量子最大效率（百分比） | 视觉敏感性效率(镑/钨) | 轴向光度05mm灯泡( MCD ) |
| GaP (Zn, O) Ga0.65Al0.35As Ga0.65Al0.3 5As GaAs0.6P0.4 GaAs0.45P0.55(N) GaAs0.35P0.65(N) | GaP GaAs GaAlAs GaAs GaP GaP | Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy (SH) Liquid phase epitaxy (DH) Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion | 红 红 红 红 红 红/橙 | 700 660 660 660 650 630 | 2 7 21 0.15 0.5 0.65 | 1 2.1 12 0.07 0.35 1.2 | 30 500 500020 100 300 |
| GaAs0.25P0.75(N) GaAs0.15P0.85(N) GaAs0.1P0.9(N) | GaP GaP GaP | Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion | 琥珀 黄 黄 | 610 590 583 | 0.6 0.25 0.2 | 2 1.1 1.1 | 300 200 200 |
| GaP(N) GaP(N) GaP | GaP GaP GaP | Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy | 黄 黄/绿 纯绿 | 570 560 555 | 0.7 0.3 0.2 | 4.3 1.6 1.36 | 400 250 200 |
| GaN SiC ZnSe* ZnS | a-Al2O3 SiC ZnSe ZnS | Liquid phase epitaxy (MIS) Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy+diffusion MOCVD (MIS) | 蓝 蓝 蓝 蓝 | 430 480 480 460 | 0.1 0.04 0.03 0.01 | 0.14 0.04 --- | 10(10mA) 12 2(2mA) 2(10mA) |
