VEECO蓄势待发，提供Micro LED产业解决方案

Micro LED被誉为是下一世代最重要的显示技术之一，由于Micro LED的性能优良，可应用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、扩增实境/虚拟实境、显示屏及电视…等领域，但因为目前Micro LED 所面临的技术瓶颈，设备、材料、面板与品牌厂商更需携手合作共同开发。LEDinside有此荣幸与机会访问到VEECO资深副总与技术长Dr. Ajit Paranjpe，谈及目前Micro LED在磊晶发展上所面临到的技术瓶颈。

（图片来源：VEECO）

Ajit提到MOCVD应用于Micro LED产业之成功关键因素取决于波长均匀性(Wavelength Uniformity)与低缺陷密度的要求(Low Defect Density)以及降低成本。

依照一般显示产业的要求，至少一定是要小于10个像素坏点(Dead Pixels)。因此对于LED磊晶的良率要求必须非常高，才有办法减少坏点出现的机会。而在磊晶上坏点缺陷(Defect Density)的控制上，目前Veeco已经可以控制在每一平方公分之下小于一个坏点。

至于在波长均一性部分，虽然对传统LED来说，可以使用挑检(Sorting)与分选(Binning)，然而对于Micro LED来说，芯片微缩到极小，已经相当难以使用挑检(Sorting)与分选(Binning) ，因此在LED磊晶生产上更要求极高均匀性。通常一般LED晶圆片与晶圆片的均匀性要求在8nm-10nm左右，依照一般显示器行业要求，在显示器成像颜色均匀性上的要求，须达到1-2nm LED磊晶波长均匀性(Wafer Uniformity)，仍需视不同显示器而定。然辅以适当的转移技术，现阶段Micro LED的晶圆片之间的波长均一性大约可以达到3-5nm，因此离显示厂商要求还有段差距，需要透过LED磊晶厂商与转移厂商的合作。

另外，除了在产品效能上的考量之外，对于LED厂商同时也在思考设备营运成本的最适性。因此Veeco也致力于协助厂商降低营运成本。VEECO目前于市面上推出两款机台，分别为Propel enLight GaN MOCVD Syste系统与EPIK 868提供更好的营运成本(Cost of Ownership)，因应市场需求。Propel enLight GaN MOCVD System可达到200mm八英寸晶圆片生产，而EPIK 868 可达到150mm六英寸晶圆片生产。

（图片来源：VEECO）

针对于GaN on Si LED晶圆片生产上， Ajit提到目前最大可采用八英寸GaN on Si LED生产，在3nm 的波长均匀性下，可达到90%的生产良率。GaN on Si LED晶圆片生产的优点为可简易移除基板，达到晶圆黏接 (Wafer Bonding)，搭配QD等色彩转换层即可达到全彩化的显示影像。应用在为HUD投影市场更能提高相当高的分辨率。

Ajit提到，观察现阶段技术与产品要求，认为显示屏导入Micro LED长期将可降低制造成本与提高更好的影像显示效果；其次为车用抬头显示器将可提高亮度与更宽广的可视角度 (Field of View)，为驾驶者带来不同以往的驾驶体验；而扩增实境则可以提供更高的亮度；并且认为在75-100英寸以上的电视将会是导入Micro LED技术上的甜蜜点；而最后手机受限于高分辨率与成本因素，将会是最后的市场机会。

VEECO已成功和各国家厂商合作Micro LED用MOCVD设备使用，同时，VEECO因应Micro LED产业，除了MOCVD磊晶设备，也计划朝向不同制程阶段上的技术支援与服务。（文：Roger, Joanne / LEDinside）

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