​国星光电开发新一代Micro LED显示模组，综合良率达99.99%

凭借高分辨率、高亮度、高可靠性、低功耗等诸多优势，以及多元的应用场景，Micro LED迎来广阔的发展前景，各大企业加速布局，助推Micro LED商业化进程落地。

继第一代玻璃基透明被动驱动Micro LED显示模组——nStar Ⅰ之后，近日，国星光电又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。

据悉，nStarⅠ是国星光电在2020年6月推出的第一代Micro LED，采用玻璃基板工艺，全彩显示，透明度达60％。

此次推出的第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显示屏，像素间距300微米（P0.3），采用TFT驱动实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果。

同时，基于自主搭建的Micro LED技术创新研发平台，nStar Ⅱ突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题，其综合良率提升至99.99%，未来相关技术成果未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。

Micro LED Display：nStar Ⅱ（图片来源：国星光电）

据介绍，nStar Ⅱ玻璃基主动式驱动Micro LED显示屏是通过巨量转移技术将Micro LED微型芯片键合到玻璃基板上，利用TFT驱动实现高清画面显示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工艺迭代过程中，可在大面积上获得超精细线路结构的TFT玻璃基板是理想的技术选择。

此外，主动式驱动TFT背板既能实现Micro LED模组像素独立控制，避免驱动像素串扰，又能在提升模组显示亮度均匀性的同时大大降低功耗。

据悉，近年来，国星光电正从产品研发、技术专利储备、生产、企业合作等全方面入手积极推进Micro LED业务的发展。

2018年，国星光电在国内率先成立Mini & Micro LED研究中心，两年后年又成立了广东省半导体微显示重点实验室，联手产业链上中下游各个环节，同推进Mini/Micro LED产业化进程。

得益于前瞻性布局，国星光电于2021年10月成功开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术，有效解决Micro LED红光芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点，推动高分辨率Micro LED全彩化显示的研发。

今年7月，国星光电推出新型MIP封装器件方案。据悉，该方案基于扇出封装技术思路，国星光电通过自主开发的巨量转移技术，采用黑化基板与高光提取封装路线构建全新MIP器件，大幅提高器件光电性能。

目前，国星光电已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。

接下来，国星光电布局深耕新型微显示赛道，在玻璃基Micro LED技术路线方面，将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表；在硅基Micro LED技术路线方面，重点布局AR显示领域。（ LEDinside整理）

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