科锐推出S波段GaN器件 实现雷达应用的效率最大化

LEDinside专稿

全新60W GaN HEMT Psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求

科锐公司（CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。

科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷达系统高功率放大电路的应用中提供更多的选择。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有优异信号保真度的同时扩展脉冲能力，并最大限度地降低散热管理需求，从而能够帮助无线射频设计工程师大幅度地降低雷达系统的尺寸和重量，同时扩大应用范围并降低安装成本。”

科锐 CGH35060 GaN HEMT 晶体管28V 工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100微秒时），功率增益为12dB，漏极效率为 65%，与传统硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已经在高功率放大器参考设计（S 波段频率在3.1至3.5GHz 之间）中得到验证。与 GaAs和Si技术相比，CGH35060 还具有长脉冲、高功率性能（低于0.6dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。

新型GaN HEMT 晶体管与科锐 S 波段全套产品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F两级封装GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）。