TILS 2011:普詮电子股份有限公司VisEra半导体封装工艺高功率产品特性

2011-01-05 16:43:05 [编辑：jasminezhuang]

◆ 专利之微型化半导体微机电工艺
◆ 热阻值可低于5℃/W
◆ 透过硅晶穿孔、铸模透镜以及均匀萤光材料涂佈等技术，能够迅速量产并降低成本
◆ 极低的介面温度 junction temperature (< 50C at Ta=25C)
◆ 最大额定电流：500 mA (标准电流：350 mA)
◆ 出光角度：120°
◆ 封装尺寸：3.37 mm * 3.37 mm
◆ 符合照明市场需求色温分佈
◆ 热电分离设计
◆ 符合RoHS
◆ 封装尺寸：3.37 mm * 3.37 mm

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