总投资10亿，优炜芯紫外LED项目一期明年3月投产

12月16日消息，近日在湖北鄂州葛店经开区的优炜芯紫外LED产业基地项目施工现场，施工人员正加班加点全力冲刺明年3月份建成投产目标。

图片来源：优炜芯公众号

据悉，该项目分两期建设，总投资约10亿元。其中，项目一期总投资5亿元，占地50亩，建筑面积47000平方米，主要进行紫外LED产业芯片、紫外LED器件封装及紫外LED模组厂房建设。项目建成达产后，可实现芯片年产能10万片、器件封装年产225KK、固化模组年产60KK。

据该项目现场负责人介绍，一期项目建设内容包括生产厂房、化学品库、废水处理站、氮气站等场所，目前一期项目已完成主体结构封顶，进行内部装修施工，预计今年底可完成收尾工作。

公开资料显示，优炜芯成立于2015年，由华中科技大学陈长清教授等创立，专注于紫外LED芯片器件、模组、光源系统及应用方案的研发，旗下拥有湖北优炜芯、湖北深紫科技、苏州紫灿科技三家子公司。

项目建设方面，除位于湖北鄂州葛店经开区的LED项目外，2023年6月28日，据温州龙港市发布消息，优炜芯将在龙港市投资约1.1亿元，建设紫外LED研发和生产基地，重点布局紫外LED芯片与模组生产。

此外，今年9月24日，福建泉州丰泽区成功签约了3个重点项目，包括优炜芯第三代半导体高光功率紫外LED芯片研发应用及产业化项目。优炜芯已在泉州设立全资子公司，投资10亿元，致力于研发和生产第三代半导体高光功率紫外LED芯片、器件、模组，以及固化光源系统。

该项目将分两期建设：一期将包括UVC LED器件模组、UVA LED固化光源系统及针对泉州优势产业的紫外应用解决方案；二期将在数字经济产业园扩建，建立高光功率紫外LED外延、芯片研发中心及生产基地。（LEDinside Carl整理）

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