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近日，錼创显示、芯映光电、高科华烨、高科视像、芯聚半导体公布Micro LED专利，涉及基板、显示模组、 MIP封装、巨量转移等。
錼创显示科技：微型发光二极管显示面板专利
国家知识产权局信息显示，錼创显示科技股份有限公司申请一项名为“微型发光二极管显示面板”的专利，公开号CN118748234A，申请日期为2021年8月。
图片来源：国家知识产权局
专利摘要显示，本发明提供一种微型发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、多个微型发光二极管、波长转换层、遮光图案层、滤光层以及空气间隙。
这些微型发光二极管设置于第一基板上，且分别位于多个子像素区内。这些微型发光二极管适于发出光束。波长转换层重叠设置于这些微型发光二极管的至少一部分。光束用于激发波长转换层以发出转换光束。遮光图案层设置于第二基板上。滤光层设置在波长转换层与第二基板之间，且重叠于这些微型发光二极管。空气间隙设置在这些微型发光二极管的任一者、第二基板、波长转换层与滤光层的任两相邻者之间。
芯映光电：一种LED基板及显示模组
芯映光电公布“一种LED基板及显示模组”相关专利进入授权阶段，公开号CN221766782U。
图片来源：国家知识产权局
该专利申请涉及一种LED基板及显示模组，所述LED基板包括：玻璃载板，所述玻璃载板的第一板面设置有导电线路；HDI线路板，所述HDI线路板固设于所述玻璃载板的第二板面，且所述HDI线路板与所述玻璃载板上的导电线路电连接，所述第一板面与所述第二板面分别位于所述玻璃载板的相对两侧。
专利通过在HDI线路板上设置玻璃载板，并将导电线路设置在玻璃载板上，玻璃载板的表面精度和平整度远远大于HDI线路板的表面精度和平整度，有利于芯片的固定安放，能够应用于Micro LED显示，解决了相关技术中HDI多层线路板制作的基板在Micro LED显示方面难以应用的技术问题。
高科华烨：一种Micro MIP器件制成方法
山西高科华烨电子集团有限公司公布“一种Micro MIP器件制成方法”相关专利进入公布阶段，公开号CN118693191A。
图片来源：国家知识产权局
该专利公开了一种Micro MIP器件制成方法，该方法包括以下步骤：S1.将含有LED芯片的COW与临时载板键合并进行激光剥离；S2.进行三色芯片的巨量转移，将三色芯片按照矩阵排列转移到同一载板上；S3.准备一块钢化玻璃，并在其单面进行胶水涂布；S4.在钢化玻璃表面按照矩阵排列进行金属走线和金属焊盘的沉积；S5.通过巨量焊接技术将芯片载板与已制备线路的钢化玻璃焊接；S6.通过激光剥离技术剥离芯片的载板；S7.对钢化玻璃上的结构进行封装；S8.通过隐切方式对Micro MIP器件进行切割。
通过本发明的制成技术，可以制备出Micro LED显示屏所需的Micro MIP器件，解决Micro MIP制成周期长、难以实现量产全自动的问题。本发明的制成方法简单高效。
高科视像：一种新型Micro LED巨量转移系统及方法
山西高科视像科技有限公司公布“一种新型Micro LED巨量转移系统及方法”相关专利并进入公布阶段，公开号CN118737911A。
图片来源：国家知识产权局
该专利发明提供了一种新型Micro LED巨量转移系统及方法，属于Micro LED巨量转移技术领域；解决了普通转移方法转移良率降低、检测修复困难的问题；包括集巨量转移、巨量检测和巨量修复于一体的巨量转移系统；巨量转移是利用转移头通过真空将芯片吸起，巨量检测是利用梯形保护罩两侧的光电检测装置测得Micro LED芯片的工作电压、亮度和发光波长等参数与预设值做比对，巨量修复是利用巨量转移头通过信息端反馈的数据，控制端控制吸嘴的开关，实现目标基板上芯片空缺位置的点对点补位。
本发明旨在优化Micro LED集成封装技术，并且通过新型的技术提升了巨量转移良率，降低修复成本，提高显示模组的色彩均匀度。
芯聚半导体：Micro LED芯片及其制备方法
芯聚半导体公布“Micro-LED芯片及其制备方法”相关专利进入公布阶段，公开号CN118748233A。
该专利发明了一种Micro LED芯片及其制备方法，Micro LED芯片包括沿出光方向依次堆叠设置的第一发光层、第二发光层、第三发光层和基板、以及粘结各层的粘结层，粘结层包括多个透光孔，透光孔与发光层的发光单元芯片的出光方向对齐。
图片来源：国家知识产权局
该垂直堆叠式的Micro LED芯片通过透光孔的设计减少了光线穿过有机物的面积，避免了因有机物材料的不稳定性造成的透光率不确定、以及有机物材料引发的光颜色变化的问题，从而一方面显著提高了光传输效率和LED芯片的发光效率，减少了光损耗，另一方面提高了混光效果，保持了整个面板显示颜色的一致性。该Micro LED在尺寸更小的同时显著提升了显示效果，增强了显示亮度和色彩纯度。（LEDinside整理）
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