总投资10.5亿，聚灿光电新增GaAs红黄光外延芯片项目

3月6日，聚灿光电发布公告，宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金（共计8亿元）用途，用于新项目“年产240万片红黄光外延片、芯片项目”的实施。本次变更后，剩余的募集资金将继续实施原有项目，原募投项目的资金缺口部分将由聚灿光电以自筹资金继续投入。

据悉，聚灿光电的“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”于2022年所确立，总投资15.5亿元，拟使用募集资金10.82亿元，项目规划年产能为720万片。

截至2023年12月31日，Mini/Micro LED芯片项目已投入募集资金65.11万元，剩余募集资金108,089.91万元。本次变更后，项目拟使用募集资金变为2.82亿元。

而新增的红黄光外延片、芯片项目，实施主体为聚灿光电科技（宿迁）有限公司，建设期为24个月，项目计划总投资10.5亿元。项目拟通过使用聚灿光电科技（宿迁）有限公司生产基地厂房，购置MOCVD及相关配套设备，形成GaAs基外延片的产能。所生产的GaAs基外延片将主要用于生产GaAs基芯片。

项目达成后，预计年均营收将达到6.13亿元，年均利润总额1.17亿元，年均净利润9962.07万元，税后内部收益率12.96%。

对于本次新增募投项目的决定，聚灿光电表示，公司专业从事GaN基蓝绿光LED外延片、芯片，已成为国内LED领先芯片企业之一。由于公司缺乏GaAs基的红黄光LED芯片产品布局，导致公司在Mini/Micro LED新型显示等快速增长的显示细分市场竞争优势不突出。

随着下游应用领域的不断开拓，GaAs基LED芯片应用广泛、需求增加，市场潜力巨大。为顺应行业发展趋势以及行业竞争环境的新态势，公司在已有产业布局的基础上，进一步加强GaAs基LED芯片的产业布局。

通过本次募投项目建设，聚灿光电将进一步完善现有产品结构，提升GaN基的蓝绿光芯片与GaAs基的红黄光芯片的配套供应能力，扩展Mini/Micro LED新型显示等快速增长的显示细分市场；利用全色系LED芯片生产、销售的优势和协同效应，从而更好地满足下游市场需求。

资料显示，聚灿光电主要从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基高亮度LED外延片、芯片。2023年，聚灿光电实现营收24.81亿元，同比增长22.30%；归母净利润实现扭亏为盈，为1.21亿元。

报告期内，聚灿光电LED芯片及外延片共实现营收12.62亿元，占营收比重为50.87%，毛利率为18.21%。2023年全年LED芯片产量为2,174万片，较2021年的1,894万片增长14.78%。

随着GaAs基红黄光芯片项目的立项，未来聚灿光电的LED芯片产品组合将进一步扩大，为聚灿光电的业绩持续增长增添新动能。（LEDinside Irving整理）

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