蔚华科28日宣布,与旗下南方科技合作,推出非破坏性缺陷检测系统,抢攻化合物半导体检测商机。
蔚华科表示,现行的碳化硅(SiC)检测方式是将晶锭切片,取上、下两片基板进行破坏性氢氧化纳(KOH)蚀刻检测。
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蔚华科指出,与南方科技合作的非破坏性缺陷检测系统,是采用非线性光学技术,扫描碳化硅基板,找出基板内部的晶体缺陷,每个晶锭可以省下两片用以检测的基板。
此外,蔚华科还表示,相关检测系统可以全面检测晶锭,进行晶锭分析和批次追踪分析,有助改善制程、提升产量。
蔚华科指出,与南方科技合作推出非破坏性缺陷检测系统后,未来将加速将南方科技在Micro LED、硅光子等先进光学检测技术的商业化。(来源:CNA)
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