2015-12-09 08:02:42 [编辑：joeyho]
随着LED市场的成长，为了进一步提升LED 高效率发光且增加良率，LED基板的材料应用是制程当中的关键。在众多的材料中，蓝宝石(GaN-on-Sapphire)能否维持市场领导地位? GaN-on-Si基板在制程技术持续演进的同时，是否能克服良率问题，并进一步扩大市场占有率? AIN、Ga2O3等新兴材料能否异军突起?
SEMI 「新型基板材料论坛」于2015年12月8日举办，邀请各界专家针对LED基板材料及技术发展做完整的剖析，包括LED基板材料市场概况、GaN基板于高功率组件的应用、单晶Ga2O3基板于高功率LED及功率组件的应用，及雷射光应用于GaN及SiC基板的缺陷检测等精彩主题，期望能让与会贵宾皆能藉此一次掌握全球LED基板材料市场之发展趋势!
苏州纳维总裁 徐科先生指出，发光器件向高功率密度与高效率发展，进而实现更高的产品性价比、更低的系统成本。然而氮化物应用发展尚须要进一步解决技术难题，包含材料的位错密度。HVPE 生长 GaN 的应力控制，可采用HVPE 结构微奈米结构调节应力。
Novel Crystal Technology CEO 与总裁 Akito Kuramata 先生提出Ga2O3 材料与应用特性，目前Ga2O3 可应用于高功率LED与功率组件 (Power Devices)。可采用EFG、FZ、CZ的长晶技术，目前主流则采用EFG长晶法，2吋基板已达量产阶段，4吋基板则正在进行厂商验证与送样。
晶元光电李镇宇处长提到Bulk GaN 技术应用上可用在RF、金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET)、萧特基/PN二极管等功率组件。 再者，GaN on GaN 的电流密度比GaN on Si 与Si功率组件至少大五到六倍，因此可以在更小尺寸组件下获得相同输出功率，进而发挥了GaN 的材料优势。同时在总损失上，仅仅是 GaN on Si 的一半以下。晶电与交大实验室完成了替代硅基材料的90W 电源交换器，在电路设计相同之下，可以清楚看到，使用GaN功率组件的电源交换器，其在体积减少了57%，在90W输出功率的效率上提升了5.5%。
SEMI致力于促进微电子、平面显示器及太阳能光电等产业供应链的整体发展，其主要服务包含展会规划、产业标准建立、市场研究调查、会员服务、教育训练课程。SEMI每年都会针对LED热门关键议题，举办多场专业论坛，透过汇聚产业的上、中、下游的伙伴，从生产、设备及材料专家的角度，共同探讨并激发研发能量，期望提升台湾企业于国际的竞争力。
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