中村修二：看好LD激光照明与GAN基板发展

中村修二博士与他在圣塔芭芭拉大学的同事Steven博士等人，近日拜访了台湾地区。这位新科诺贝尔物理奖得主素来以快人快语风格闻名，在他这次于春季拜访亚洲的行程中，在台湾地区除了拜访晶电等LED台厂外，也在4月9日于交通大学进行专题演讲。

中村修二此行分享了他在研发蓝光LED与后续在LED方面的心路历程与成果，以及提供他对未来LED产业、LD产业发展的分析洞见。LEDinside这次受到晶电董事长李秉杰与交通大学的协助，也很顺利地访问到了中村修二先生，期许他一些观点与想法，能够为LED产业带来更多的光明。

蓝光LED溯源 - 伟大的发明

针对这次因为蓝光LED的研究成果获得诺贝尔物理奖的殊荣，中村修二表示，他的发明是高效率LED的重大突破，之前花了20年去实现这个工程发展，而这次的诺贝尔奖虽然颁给他们三位，但都没有在得奖的理由中提到氮化铟镓层（InGaN Layer），他为了这个有一点不开心。他认为少了这个就不能够做成蓝光LED，因此认为诺贝尔奖的委员会给的得奖理由写错了。

而他得奖之后，有一大堆不同研讨会、演讲场合的邀约，中村和圣塔芭芭拉大学的同事讨论时，对方就说，你得的是诺贝尔奖耶，应该要婉拒全部和你研究成果不相关的邀约，中村遵从了他的建议，开始了一个诺贝尔奖得主的新生活。

晶电董事长李秉杰与诺贝尔物理奖得主中村修二

研究要保持热情，设法获得研究上的自由

面对工程师、科学家面临的研究持续力问题，与中村同样属于圣塔芭芭拉大学且是研究伙伴的Steven Denbaars博士指出，做研究要保持热情，当新技术产生冲击时，要想一些自己创造的新东西能否在不同的应用上出现。他强调，获得研究上的自由很重要，就能够去做自己想做的研究。他的老师是著名的黄光LED发明人George Craford，有和他讨论过这个议题，Steven Denbaars后来决定去大学做更自由的研究，这和在产业界做研究确实是有不同。

中村修二则表示，做研究确实需要热情，要有好的概念，也需要新的设备、新的技术思维。当初他自己就在蓝光LED的开发过程中，连产制LED的机器设备都亲手去开发，用自己的力量和技术，以及找到适当的材料，才有办法完成蓝光LED的重大突破。他认为，即便是在大公司工作，只要能够设法获得研究上的自由，也是可以做出很好的研究成果。

中村给工程师们一个重要的建议，“想十倍的不同，实际上就可以有一小步的不同，对业界是正面的成果。”

对此，晶电董事长李秉杰也有感而发，晶电过去以来花了超过300亿元新台币（折合人民币约59.82亿元）的资金去做LED研发，尽管是商业化的研究成果为主，也符合许多客户的期待，但这些好的成果，有的时候也会碰到剽窃产品结构的竞争对手，这也是一种问题。

LED与LD进入次世代的技术趋势发展，押注GaN on GaN与LD

中村修二指出，近十年他都是专住在氮化镓（GaN）基板的长晶技术，专住在这个领域的能量，未来会开花结果。他认为GaN on (X)的各种组合中，预期未来GaN on GaN（氮化镓基板生长氮化镓）会是有重大突破的地方，在上面长的LD、LED，都会有比以往更好的效率和成果。只是，目前的GaN基板成本还是很高，远高出蓝宝石基板不少，期望未来的研究能够更降低成本。目前蓝宝石基板生长氮化镓这个领域的LED发展，在效率上已经逐渐来到了成长瓶颈，实际应用上还有一些需要克服的问题，比方说蓝宝石LED一个概略的理论比喻是产生 70%光，30% 热，但是激光LD却可以产生 70% 光，而没有太多的热产生。因此，他预期GaN on GaN在各方合作的情况下，很快地会有重大突破发生。

他和Steven Denbaars博士都不看好GaN on Si (硅基板生长氮化镓)在照明LED方面的发展，认为不应该浪费时间在上面。但对于透过GaN on Si产生的垂直电源装置之前景，也表达看好的态度，预期给智能型手机充电、其他电力相关的应用，这个领域的发展会很光明。

Steven Denbaars博士

至于LD方面，中村认为，LD激光照明的效率与质量会比较好，目前成本还很高，但中村的团队已经在努力降低成本。在指向性高的需求如车用头灯，已经有市场上的实际成果可以见到。他也指出，像是大陆厂商三安等等，也有很多厂商的技术已经追上来，因此要继续前进的话，关注未来的技术是相当重要的，GaN on GaN、LD等等都是可以选择的研发路线。他笑称，也许这个领域的发展到最后，有可能得到下一个诺贝尔奖，而这个领域的产品要能够商业化普及，可能还要三年到五年左右的时间。

至于紫外线LED，已经在市场上有了很多应用发展，但是目前倍受业界关注UV-C部份，这方面的的效率是5mW-10mW，需要有更高的效率才能够在未来有成功商业化的量产。

最后，中村先生本人也提到，nPola 为全球第一主要使用GaN on GaN 技术量产的产品，透过此产品可将发光效率提升，大幅度降低缺陷，使得LED芯片的电流密度比传统芯片高5到10倍。并且，在相同的芯片尺寸可以实现高于5〜10倍的亮度输出。 同时对于光质量的追求，演色性可达到95以上。

现阶段，晶电与中村修二的研究团队已经有一些合作上的共识，以及技术上的交流，期待未来有开花结果的一天。

另外，中村修二本人目前在台湾地区4月9日也在新竹的交通大学有演讲，受到业界瞩目与重视。

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