爱思强助力中国首次迈向氮化镓功率电子工业

近日，中国能讯微电子有限公司向AIXTRON 爱思强下达首笔订单，购买爱思强近耦合喷淋头@（CCS）CRIUS@ MOCVD 系统，用于氮化半导体电子器件的生产。该系统将成为中国首台用于专门生产氮化镓（GaN）电子器件的系统。

该AIXTRON 爱思强系统将被应用于在碳化硅和硅基材上生长氮化镓和相关氮化半导体外延层，以生产微波和功率器件。

目前，该系统已完成安装和调试工作，随时可用于生产优质的氮化镓外延晶片。能讯微电子总裁兼首席执行官张乃千博士评价道：“迈出这一步对我们而言至关重要。高功率和高效率的氮化镓电子器件是下一代功率管理和数据通信的重要组件。这项具有颠覆性意义的技术将帮助我们实现社会的可持续发展。爱思强反应器已被证明是应用于整个生产当之无愧的选择。”

AIXTRON 爱思强副总裁兼电力电子项目经理Frank Wischmeyer 博士表示：“能讯微电子的技术团队在爱思强CCS 技术的应用方面已有丰富的经验。我们希望通过我们的专业知识为他们提供支持，从而加快氮化镓功率器件进入中国市场的步伐。”

与传统硅器件相比，氮化镓电子器件能使高频率（RF）和电力电子应用发挥出更优越的效率和功率密度性能。然而，实际应用中必须攻克两大难关：第一，氮化镓与异质衬底之间存在严重的晶格失配，因此其生长必须经过特殊程序处理；第二，为了能与硅器件竞争，必须尽可能地降低其制造成本，这就要求最先进的MOCVD 技术提供高度一致性与再现性。