罗姆公开展出沟道型SBD和SiC制MOSFET

近日，罗姆半导体首次公开展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和金氧半场效晶体管MOSFE（Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor）。

                           
                                     沟道型SBD

沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压（以下称导通电压）较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD（Fast Recovery Diode，快恢复二极管）的0.6V。

SBD尽管可通过改进电极金属及成膜条件来降低导通电压，但却存在漏电流变大的课题。此次在降低导通电压的同时，通过挖掘沟道后在其中设置p型层，减轻了电场集中效应，抑制了漏电流。通过这一手段，实现了0.5V的导通电压。“

相关人员介绍，与以往构造的SiC制SBD相比，沟道型SBD将漏电流减小了5位数。此次试制的是耐压为600V、电流容量为10A的品种。但目前该产品还只是研发品，目标是2年后实现实用化。在以往构造的SBD方面，罗姆也在努力降低导通电压，打算陆续推出产品。

                           
                                           沟道型SiC制MOSFET

同时展示的沟道型SiC制MOSFET，其耐压600V下导通电阻只有1mΩcm2。比耐压相同的Si制超结（Super-Junction）构造的MOSFET及IGBT小1位数。

导通电阻小是因为采用了不仅在栅极正下方而且还在源极正下方设置沟道的“双沟道构造”。在源极正下方挖掘沟道，并在该沟道中设置p型层。通过这一手段，减轻了截止时栅极部分产生的电场集中效应，促进了导通电阻的降低。

该SBD和MOSFET在2011年9月举行的SiC国际学会“ICSCRM 2011”上曾做过发布。