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大阪大学教授试制出GaN系半导体红光LED组件

2009-07-08 11:20:11 [编辑：]

日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用GaN系半导体的红光LED组件。藤原康文教授介绍，利用GaN系半导体的蓝光LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平，但试制出红光LED组件“还是全球首次”。如果可与蓝光LED组件及绿光LED组件一样，利用GaN系半导体制造出红光LED组件，便可在相同底板内实现RGB的三原色。这样一来，将有助于实现像素尺寸较小且精细度较高的LED显示器。

此次，通过在发光层上利用添加稀土类元素“铕(Eu)”的GaN，实现了红光LED组件。此前也进行过向GaN添加Eu以获得红光的研究，但原来采用离子注入法添加Eu，通过光致激发(Photoexcitation)获得红光。而藤原的研究小组采用MOCVD法添加Eu，同时通过注入电流成功地获得了红光。

该组件在驱动电流为20mA，驱动电压为6V时，光输出功率为1.3μW。虽然光输出功率尚小，但作为LED组件，如果进一步优化电极结构等，预计还可大幅提高光输出功率。

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